硅晶体中3d金属沉淀和稳定性
批准号:
69406001
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
7.0 万元
负责人:
杨德仁
依托单位:
学科分类:
半导体材料
结题年份:
1997
批准年份:
1994
项目状态:
已结题
项目参与者:
李立本、张锦心、张溪文、樊瑞新、马向阳
专题研讨类:二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
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批准号:T2241024
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项目类别:专项项目
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资助金额:10.00万元
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批准年份:2022
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负责人:杨德仁
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依托单位:
铸造晶体硅的杂质与缺陷
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批准号:51532007
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项目类别:重点项目
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资助金额:290.0万元
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批准年份:2015
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负责人:杨德仁
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依托单位:
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
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批准号:61274057
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项目类别:面上项目
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资助金额:80.0万元
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批准年份:2012
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负责人:杨德仁
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依托单位:
大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
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批准号:50832006
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项目类别:重点项目
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资助金额:200.0万元
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批准年份:2008
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负责人:杨德仁
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依托单位:
重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究
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批准号:60876001
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项目类别:面上项目
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资助金额:35.0万元
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批准年份:2008
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负责人:杨德仁
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依托单位:
微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
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批准号:50572094
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项目类别:面上项目
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资助金额:27.0万元
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批准年份:2005
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负责人:杨德仁
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依托单位:
快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究
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批准号:90307010
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2003
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负责人:杨德仁
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依托单位:
超大规模集成电路(ULSI)用硅材料中杂质和缺陷的基础研究
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批准号:50032010
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项目类别:重点项目
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资助金额:130.0万元
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批准年份:2000
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负责人:杨德仁
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依托单位:
氢对微氮硅单晶中氮关缺陷和过渡金属的作用
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批准号:69976025
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项目类别:面上项目
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资助金额:15.6万元
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批准年份:1999
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负责人:杨德仁
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依托单位:
铸造多晶硅中氧的特性和对光电效率的影响
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批准号:59976035
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项目类别:面上项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:1999
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负责人:杨德仁
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依托单位:
国内基金
海外基金