无毒、环境友好的重掺磷单晶硅可以部分替代重掺砷、重掺锑硅单晶，制备功率半导体器件，在汽车等领域有广泛应用。本项目利用独特的磷掺杂技术，生长重掺磷单晶硅，研究其原生氧沉淀的结构、尺寸和分布，以及生长和消除规律；研究在不同热处理条件（单步、多步退火、快速热处理）下，特别是在模拟CMOS器件工艺的热循环条件下，重掺磷单晶硅中氧沉淀行为及规律，开发出重掺磷单晶硅的内吸杂技术；对利用重掺磷硅片作为衬底生长的N/N+外延片的内吸杂能力作出评价；并研究重掺磷单晶硅中原生空洞型缺陷（COP）的形成规律，揭示重掺磷单晶硅中COP的密度和尺寸分布；研究重掺磷单晶硅片的COP在氢气或惰性气氛下高温热处理的消除行为。项目的研究，不仅具有理论意义，而且对改善重掺磷硅单晶的实际生产和质量改善具有重要的指导意义。