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重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究

批准号：
60876001
项目类别：
面上项目
资助金额：
35.0 万元
负责人：
杨德仁
依托单位：
浙江大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈加和、陈培良、曾俞衡、王维燕、李晓强、曾徵丹、朱伟江、武鹏、奚光平
关键词：
直拉单晶硅氧沉淀重掺磷缺陷

项目摘要

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项目成果

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中文摘要
无毒、环境友好的重掺磷单晶硅可以部分替代重掺砷、重掺锑硅单晶，制备功率半导体器件，在汽车等领域有广泛应用。本项目利用独特的磷掺杂技术，生长重掺磷单晶硅，研究其原生氧沉淀的结构、尺寸和分布，以及生长和消除规律；研究在不同热处理条件（单步、多步退火、快速热处理）下，特别是在模拟CMOS器件工艺的热循环条件下，重掺磷单晶硅中氧沉淀行为及规律，开发出重掺磷单晶硅的内吸杂技术；对利用重掺磷硅片作为衬底生长的N/N+外延片的内吸杂能力作出评价；并研究重掺磷单晶硅中原生空洞型缺陷（COP）的形成规律，揭示重掺磷单晶硅中COP的密度和尺寸分布；研究重掺磷单晶硅片的COP在氢气或惰性气氛下高温热处理的消除行为。项目的研究，不仅具有理论意义，而且对改善重掺磷硅单晶的实际生产和质量改善具有重要的指导意义。
英文摘要
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专著列表
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专利列表
Grown-in defects in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon
重度磷掺杂直拉硅中的生长缺陷
DOI： 10.1016/j.physb.2009.08.139
发表时间： 2009-12
期刊： Physica B-Condensed Matter
影响因子： 2.8
作者： [Zeng, Yuheng, Chen, Jiahe, Ma, Xiangyang, Zeng, Zhidan, Yang, Deren]
通讯作者： Yang, Deren
Enhancement effect of nitrogen co-doping on oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon during high-temperature annealing
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2009.03.048
发表时间： 2009-06
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [Yuheng Zeng;Jiahe Chen;M. Ma;Weiyan Wang;Deren Yang]
通讯作者： Yuheng Zeng;Jiahe Chen;M. Ma;Weiyan Wang;Deren Yang
Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped silicon wafer annealed at high temperatures
高温退火重掺磷硅片中的氧析出
DOI： 10.1016/j.mseb.2008.12.045
发表时间： 2009-03
期刊： Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials
影响因子： 3.6
作者： [Zeng, Yuheng, Yang, Deren, Ma, Xiangyang, Chen, Jiahe, Que, Duanlin]
通讯作者： Que, Duanlin
Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon: effect of nitrogen codoping
DOI： 10.1088/0268-1242/24/10/105030
发表时间： 2009-03
期刊： Semiconductor Science and Technology
影响因子： 1.9
作者： [Yuheng Zeng;Xiangyang Ma;Jiahe Chen;D. Tian;Longfei Gong;Deren Yang]
通讯作者： Yuheng Zeng;Xiangyang Ma;Jiahe Chen;D. Tian;Longfei Gong;Deren Yang
共 7 条
    专题研讨类：二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
    • 批准号：
      T2241024
    • 项目类别：
      专项项目
    • 资助金额：
      10.00万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    铸造晶体硅的杂质与缺陷
    • 批准号：
      51532007
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      290.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
    • 批准号：
      61274057
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      80.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
    • 批准号：
      50832006
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      200.0万元
    • 批准年份：
      2008
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
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    海外基金