课题基金 / 基金详情

微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究

批准号：
50572094
项目类别：
面上项目
资助金额：
27.0 万元
负责人：
杨德仁
依托单位：
浙江大学
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
席珍强、樊瑞新、陈加和、符黎明、崔灿、方敏、陈海龙、钟玲、宫龙飞
关键词：
微缺陷掺锗氧硅单晶

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中文摘要
直拉硅单晶中微缺陷是影响现代深亚微米集成电路的主要因素之一。本课题组提出利用微量掺锗控制直拉硅单晶微缺陷的新概念，是一种具有广阔应用前景的新型硅单晶材料。在此基础上，本项目主要研究微量掺锗直拉硅单晶中的原生缺陷（Void等）行为和机理，指出原生缺陷控制和消除技术；模拟大规模集成电路热处理工艺过程，阐明微量掺锗直拉硅单晶在工艺过程中的氧沉淀行为；并指出锗对洁净区的影响作用，探索提高硅片内吸杂效果的机理。基本了解微量掺锗对直拉硅单晶杂质和缺陷的影响规律，发展具有我国自主知识产权的新技术，为微量掺锗直拉硅单晶在深亚微米集成电路上的广泛应用提供理论基础。
英文摘要
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专利列表
Influence of germanium doping on the mechanical strength of Czochralski silicon wafers
锗掺杂对直拉硅片机械强度的影响
DOI： 10.1063/1.2943272
发表时间： 2008-06-15
期刊： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 3.2
作者： [Chen, Jiahe, Yang, Deren, Gong, Longfei]
通讯作者： Gong, Longfei
Crystal-originated particles in germanium-doped Czochralski silicon crystal
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.05.034
发表时间： 2007-08
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [Jiahe Chen;Deren Yang;Hong Li;Xiangyang Ma;D. Tian;Liben Li;D. Que]
通讯作者： Jiahe Chen;Deren Yang;Hong Li;Xiangyang Ma;D. Tian;Liben Li;D. Que
Germanium effect on as-grown oxygen precipitation in Czochraldki silicon
锗对直拉硅中生长氧沉淀的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Intrinsic gettering Based on rapid thermal annealing in germanium-doped Czochralski silicon
DOI： 10.1063/1.2436829
发表时间： 2007-02
期刊： Journal of Applied Physics
影响因子： 3.2
作者： [Jiahe Chen;Deren Yang;Xiangyang Ma;Hong Li;D. Que]
通讯作者： Jiahe Chen;Deren Yang;Xiangyang Ma;Hong Li;D. Que
共 14 条
    专题研讨类：二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
    • 批准号：
      T2241024
    • 项目类别：
      专项项目
    • 资助金额：
      10.00万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    铸造晶体硅的杂质与缺陷
    • 批准号：
      51532007
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      290.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
    • 批准号：
      61274057
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      80.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
    • 批准号：
      50832006
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      200.0万元
    • 批准年份：
      2008
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    国内基金
    海外基金