直拉硅单晶中微缺陷是影响现代深亚微米集成电路的主要因素之一。本课题组提出利用微量掺锗控制直拉硅单晶微缺陷的新概念，是一种具有广阔应用前景的新型硅单晶材料。在此基础上，本项目主要研究微量掺锗直拉硅单晶中的原生缺陷（Void等）行为和机理，指出原生缺陷控制和消除技术；模拟大规模集成电路热处理工艺过程，阐明微量掺锗直拉硅单晶在工艺过程中的氧沉淀行为；并指出锗对洁净区的影响作用，探索提高硅片内吸杂效果的机理。基本了解微量掺锗对直拉硅单晶杂质和缺陷的影响规律，发展具有我国自主知识产权的新技术，为微量掺锗直拉硅单晶在深亚微米集成电路上的广泛应用提供理论基础。