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超大规模集成电路（ULSI）用硅材料中杂质和缺陷的基础研究
结题报告
批准号：
50032010
项目类别：
重点项目
资助金额：
130.0 万元
负责人：
杨德仁
依托单位：
学科分类：
E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2004
批准年份：
2000
项目状态：
已结题
项目参与者：
李立本、马向阳、杨建松、樊瑞新、张锦心、沈益军、李养贤、刘彩池、徐进
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
超.大.规.模.集.成.电.路.用.硅.材.料.杂.质.和.缺.陷.的.重.要核.心.问.题.是.轻.元.素.氧.氮.氢.杂.质.和.相.关.微.观.缺.陷本.项.目.是.研.究.它.们.在.硅.材.料.中.的.结.构.、.组.成.、微.观.形.态.和.分.布.规.律.，.研.究.其.在.硅.片.制.备.和.集成.电.路.制.造.的.热.处.理.工.艺.中.的.演.变.，.以.及.和.硅材.料.电.??力.学.性.能.的.关.系.，.研.究.硅.中.氧.氮.氢.的相.互.作.用.形.式.，.研.究.??国.独.特.的.微.氮.硅.单.晶.内吸.杂.技.术.，.研.制.UL.SI.用.优.质.硅.材.料.??....
英文摘要
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专题研讨类：二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
- 批准号：T2241024
- 项目类别：专项项目
- 资助金额：10.00万元
- 批准年份：2022
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
铸造晶体硅的杂质与缺陷
- 批准号：51532007
- 项目类别：重点项目
- 资助金额：290.0万元
- 批准年份：2015
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
- 批准号：61274057
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：80.0万元
- 批准年份：2012
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
- 批准号：50832006
- 项目类别：重点项目
- 资助金额：200.0万元
- 批准年份：2008
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究
- 批准号：60876001
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：35.0万元
- 批准年份：2008
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
- 批准号：50572094
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：27.0万元
- 批准年份：2005
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究
- 批准号：90307010
- 项目类别：重大研究计划
- 资助金额：30.0万元
- 批准年份：2003
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
氢对微氮硅单晶中氮关缺陷和过渡金属的作用
- 批准号：69976025
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：15.6万元
- 批准年份：1999
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
铸造多晶硅中氧的特性和对光电效率的影响
- 批准号：59976035
- 项目类别：面上项目
- 资助金额：15.0万元
- 批准年份：1999
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
硅晶体中3d金属沉淀和稳定性
- 批准号：69406001
- 项目类别：青年科学基金项目
- 资助金额：7.0万元
- 批准年份：1994
- 负责人：杨德仁
- 依托单位：
国内基金
海外基金
