课题基金 / 基金详情

超大规模集成电路（ULSI）用硅材料中杂质和缺陷的基础研究

批准号：
50032010
项目类别：
重点项目
资助金额：
130.0 万元
负责人：
杨德仁
依托单位：
浙江大学
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2004
批准年份：
2000
项目状态：
已结题
项目参与者：
李立本、马向阳、杨建松、樊瑞新、张锦心、沈益军、李养贤、刘彩池、徐进
关键词：
微观缺陷.硅轻元素杂质.

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
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英文摘要
专题研讨类：二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
  • 批准号：
    T2241024
  • 项目类别：
    专项项目
  • 资助金额：
    10.00万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    杨德仁
  • 依托单位：
    浙江大学
铸造晶体硅的杂质与缺陷
  • 批准号：
    51532007
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    290.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    杨德仁
  • 依托单位：
    浙江大学
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
  • 批准号：
    61274057
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    杨德仁
  • 依托单位：
    浙江大学
大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
  • 批准号：
    50832006
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    200.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    杨德仁
  • 依托单位：
    浙江大学
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