铸造多晶硅中氧的特性和对光电效率的影响
结题报告
批准号:
59976035
项目类别:
面上项目
资助金额:
15.0 万元
负责人:
杨德仁
依托单位:
学科分类:
E0607.可再生能源与新能源利用中的工程热物理问题
结题年份:
2002
批准年份:
1999
项目状态:
已结题
项目参与者:
马向阳、张锦心、杨建松、刘培东、李东升、田达晰、罗木昌、俞征峰
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中文摘要
铸造多晶硅是新型低成本高效率的太阳能光电转换材料,随着晶体生长技术的成熟,氧杂质和高密度的位错成为其最主要的缺陷,制约着其光电转换效率。本项目研究铸造多晶硅中氧的沉淀、氧热施主和氧新施主的特性,研究氧和位错的相互作用规律,太阳能电池工艺中氧的沉淀行为以及氧对其光电转换效率的影响。
英文摘要
The fabrication of solar cells with high efficiency and low cost is the key to large scale application of solar energy. At present, cast multicrystalline silicon has replaced mono-crystalline silicon as the main photovoltaic materials, but the conversion efficiency of its solar cells is lower than that of mono-crystalline silicon. Oxygen and dislocations with high density are main defects in cast multicrystalline silicon and limit the conversion efficiency of the solar cells. On the base of international collaboration, The distribution of oxygen as well as the characters of thermal donors, new donors and oxygen precipitates in as-grown materials was researched in this project. The reaction between oxygen and dislocation and its effects on electrical properties were also investigated. In this project the behavior of oxygen precipitation during simulated process of the fabrication of solar cells was also found. In addition, we investigated the texturizattion and its mechanism of cast multicrystalline silicon. The research results are beneficial for industry to fabricate solar cells with high efficiency.
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专题研讨类:二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
  • 批准号:
    T2241024
  • 项目类别:
    专项项目
  • 资助金额:
    10.00万元
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
铸造晶体硅的杂质与缺陷
  • 批准号:
    51532007
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    290.0万元
  • 批准年份:
    2015
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
  • 批准号:
    61274057
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    80.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
  • 批准号:
    50832006
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    200.0万元
  • 批准年份:
    2008
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究
  • 批准号:
    60876001
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    35.0万元
  • 批准年份:
    2008
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
  • 批准号:
    50572094
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    27.0万元
  • 批准年份:
    2005
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究
  • 批准号:
    90307010
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    30.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
超大规模集成电路(ULSI)用硅材料中杂质和缺陷的基础研究
  • 批准号:
    50032010
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    130.0万元
  • 批准年份:
    2000
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
氢对微氮硅单晶中氮关缺陷和过渡金属的作用
  • 批准号:
    69976025
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    15.6万元
  • 批准年份:
    1999
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
硅晶体中3d金属沉淀和稳定性
  • 批准号:
    69406001
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    7.0万元
  • 批准年份:
    1994
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
国内基金
海外基金