课题基金 / 基金详情

快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究

批准号：
90307010
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
30.0 万元
负责人：
杨德仁
依托单位：
浙江大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
李东升、汪雷、沈益军、席珍强、余学功、徐进、张辉、林磊、李红
关键词：
快速热处理金属杂质单晶硅

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
SOC是建立在特征线宽为0.1微米的超大规模集成电路上，对其基础材料大直径直拉单晶硅杂质和缺陷的了解和控制提出了更高的要求。过渡族金属杂质是硅中主要污染，对集成电路有致命的影响。目前快速热处理工艺广泛地应用到微电子工艺中，因此，本项目研究快速热处理工艺下在大直径单晶硅中过渡族金属与本征点缺陷的相互作用，研究快速热处理工艺参数和不同的原始硅片对过渡族金属作用规律的影响，同时研究快速热处理工艺条件下形成的金属沉淀或各种复合体，及其对随后的氧沉淀和洁净区的影响，以及内吸杂工艺中所吸引的金属沉淀在快速热处理下的稳定性，研究过渡族金属与点缺陷或其复合体的作用机理，为SOC集成电路用大直径硅单晶的制备和加工提供坚实的理论基础和技术依据。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Effect of nickel contamination
镍污染的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [吴冬冬, 杨德仁*, 席珍强, 阙端]
通讯作者： 阙端
Copper precipitation in large-
大面积铜沉淀
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [席珍强, 陈君, 杨德仁*, A.Lawe]
通讯作者： A.Lawe
Electron Beam-Induced Current
电子束感应电流
DOI： 10.1016/b978-0-12-803581-8.03519-0
发表时间： 2001
期刊：
影响因子： --
作者： [C. Frigeri]
通讯作者： C. Frigeri
Scanning infrared microscopy i
扫描红外显微镜 i
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [席珍强, 杨德仁*, H.J.Moeller]
通讯作者： 杨德仁*, H.J.Moeller
共 7 条
    专题研讨类：二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
    • 批准号：
      T2241024
    • 项目类别：
      专项项目
    • 资助金额：
      10.00万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    铸造晶体硅的杂质与缺陷
    • 批准号：
      51532007
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      290.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
    • 批准号：
      61274057
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      80.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
    • 批准号：
      50832006
    • 项目类别：
      重点项目
    • 资助金额：
      200.0万元
    • 批准年份：
      2008
    • 负责人：
      杨德仁
    • 依托单位：
      浙江大学
    国内基金
    海外基金