专题研讨类:二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
微信扫码咨询
铸造晶体硅的杂质与缺陷
- 批准号:51532007
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:290.0万元
- 批准年份:2015
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
- 批准号:61274057
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:80.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
- 批准号:50832006
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:200.0万元
- 批准年份:2008
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究
- 批准号:60876001
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:35.0万元
- 批准年份:2008
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
- 批准号:50572094
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:27.0万元
- 批准年份:2005
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究
- 批准号:90307010
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:30.0万元
- 批准年份:2003
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
超大规模集成电路(ULSI)用硅材料中杂质和缺陷的基础研究
- 批准号:50032010
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:130.0万元
- 批准年份:2000
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
氢对微氮硅单晶中氮关缺陷和过渡金属的作用
- 批准号:69976025
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:15.6万元
- 批准年份:1999
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
铸造多晶硅中氧的特性和对光电效率的影响
- 批准号:59976035
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:15.0万元
- 批准年份:1999
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
硅晶体中3d金属沉淀和稳定性
- 批准号:69406001
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:7.0万元
- 批准年份:1994
- 负责人:杨德仁
- 依托单位:
国内基金
海外基金
