专题研讨类:二维半导体材料融合硅基CMOS技术的有组织科研
批准号:
T2241024
项目类别:
专项项目
资助金额:
10.00 万元
负责人:
杨德仁
依托单位:
学科分类:
--
结题年份:
--
批准年份:
2022
项目状态:
未结题
项目参与者:
杨德仁
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铸造晶体硅的杂质与缺陷
  • 批准号:
    51532007
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    290.0万元
  • 批准年份:
    2015
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
高浓度杂质补偿对光伏用硅晶体及太阳电池性能影响
  • 批准号:
    61274057
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    80.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究
  • 批准号:
    50832006
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    200.0万元
  • 批准年份:
    2008
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
重掺磷直拉硅单晶的微缺陷研究
  • 批准号:
    60876001
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    35.0万元
  • 批准年份:
    2008
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究
  • 批准号:
    50572094
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    27.0万元
  • 批准年份:
    2005
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究
  • 批准号:
    90307010
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    30.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
超大规模集成电路(ULSI)用硅材料中杂质和缺陷的基础研究
  • 批准号:
    50032010
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    130.0万元
  • 批准年份:
    2000
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
氢对微氮硅单晶中氮关缺陷和过渡金属的作用
  • 批准号:
    69976025
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    15.6万元
  • 批准年份:
    1999
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
铸造多晶硅中氧的特性和对光电效率的影响
  • 批准号:
    59976035
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    15.0万元
  • 批准年份:
    1999
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
硅晶体中3d金属沉淀和稳定性
  • 批准号:
    69406001
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    7.0万元
  • 批准年份:
    1994
  • 负责人:
    杨德仁
  • 依托单位:
国内基金
海外基金