Analog circuits with time varying parameters caused by device aging and gate currents: modelling of impact on circuit behaviour; assessment and development of countermeasures.

在模拟Schaltungstechnik中，给出了一个错误的矩阵，即偏移、温度和跨度的变化。在新的CMOS技术中，为了增强新的效果，时间参数的漂移具有非常复杂的时间常数和统计变化。因此，通过跨度和温度应力（偏置温度应力BTS）可以得到一个准静态的Anteil mit Zeitkonstanten von Tagen or der Monaten und einen relaxierenden Anteil mit Änderungen im Mikrosekunden- bis Sekundenbereich。Gate-Ströme beoblocken eine zeitliche Veränderung von Gate-Ladungen und stellen besonders für ladungsspeichernde Knoten in Schalter-Kondensator-Schaltungen ein Problem dar.在数值模拟的基础上，我们将建立模拟效果的影响模型，以了解它们的综合作用。Daraus wollen wir Methoden und Teststrukturen für ihre Charakterisierung ableiten sowie Gegenmaßnahmen wie Kalibierung，Kompensation und Fehlerkorrektur bewerten und neue Maßnahmen entwickeln.在一个由Risiko亲自主持的项目中，我们将通过应力测试来测试Möglichkeit。zur Offset-Korrektur zu verändern oder Schaltungen vor Inbetriebnahme künstlich zu altern.

In der analogen Schaltungstechnik gibt es eine Fülle von erprobten Maßnahmen, um Variationen wie Offset, Temperatur- und Spannungsschwankungen zu begegnen. In neuen CMOS-Technologien tauchen jedoch aufgrund der fortschreitenden Skalierung neue Effekte auf, die zeitabhängige Parameterdriften mit sehr unterschiedlichen Zeitkonstanten und statistischen Variationen verursachen. So hat die durch Spannungs- und Temperatur-Stress (Bias Temperature Stress BTS) verursachte Einsatzspannungsdrift einen quasi-statischen Anteil mit Zeitkonstanten von Tagen oder Monaten und einen relaxierenden Anteil mit Änderungen im Mikrosekunden- bis Sekundenbereich. Gate-Ströme bewirken eine zeitliche Veränderung von Gate-Ladungen und stellen besonders für ladungsspeichernde Knoten in Schalter-Kondensator-Schaltungen ein Problem dar. Im Gegensatz zur üblichen numerischen Simulation wollen wir formale Modelle für den Einfluss dieser Effekte auf Analogschaltungen entwickeln, um ihre kombinierten Auswirkungen zu untersuchen. Daraus wollen wir Methoden und Teststrukturen für ihre Charakterisierung ableiten sowie Gegenmaßnahmen wie Kalibierung, Kompensation und Fehlerkorrektur bewerten und neue Maßnahmen entwickeln. In einem mit besonderem Risiko behafteten Teil des Projekts wollen wir die Möglichkeit untersuchen, durch absichtlichen Stress Schaltungseigenschaften z.B. zur Offset-Korrektur zu verändern oder Schaltungen vor Inbetriebnahme künstlich zu altern.