Alignment Control and Electrical Coupling of High-density Si-based Quantum Dots
Alignment Control and Electrical Coupling of High-density Si-based Quantum Dots
高密度硅基量子点的取向控制和电耦合
批准号：
24246054
负责人：
SEIICHI Miyazaki
金额：
$30.04万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドドットの高密度形成
利用远程氢等离子体支持在 SiO2 上高密度形成硅化铁点
利用远程氢等离子体支持在 SiO2 上高密度形成硅化铁点
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[張海, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
High Density Formation of Mn and Mn-germanide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma
远程氢等离子体诱导高密度形成锰和锰锗化物纳米点
远程氢等离子体诱导高密度形成锰和锰锗化物纳米点
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki]
通讯作者：
M. Ikeda and S. Miyazaki
Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots
自对准硅基量子点电致发光的瞬态特性
自对准硅基量子点电致发光的瞬态特性
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Suzuki, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki]
通讯作者：
M. Ikeda and S. Miyazaki
光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2)
光电子产率光谱法测量SiO2/SiC结构的电子态（2）
光电子产率光谱法测量SiO2/SiC结构的电子态（2）
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大田晃生, 渡邊浩成, グェンスァンチュン, 牧原克典, 宮崎誠一]
通讯作者：
宮崎誠一
Characterization of Electron Field Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots
高密度自对准硅基量子点场发射电子的表征
高密度自对准硅基量子点场发射电子的表征
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikada and S. Miyazaki]
通讯作者：
M. Ikada and S. Miyazaki
共 109 条
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