Entwicklung von p-Kanal FET Strukturen mit hoher Kanalstromdichte und Spannungsfestigkeit für Betrieb bei hoher Leistung bei moderaten Temperaturen

“合成超级材料”是指“结构材料”，是指“结构材料”，是指“结构材料”，是指“结构材料”，是指“结构材料”。模具活性材料技术是一种同外延材料技术，是一种非外延材料技术，是一种非外延材料技术。在einem epitaktischen Rezeßgraben gebildet。Die epitaktische reze和Die steuerstreke der Diode， deren N-Gebiet ein verlustbehaftetes Dielektrikum darstellt, ist zu optimieren。Die angestreten Charakteristiken der Bauelemente sind insbesonere: - hohe drain - stromdicte, d.h. hohe Träger-Schichtdichten von Ns 1013cm-2 m Kanal， - hohe最大源-漏和门-漏的Spannung bei gleichzetitig hohem Ns， - hohe Akzeptoraktivierung bei mittlerer温度durch deltaförmiges dotier剖面- geringe parasitäre Leckströme ber栅极和衬底，- Temperaturstabilität und geringe色散- Grenzfrequenzen im (unteren) GHz-Bereich。

Aufbauend auf dem im Rahmen des bisherigen Schwerpunktprogramms "Synthese superharter Materialien" gewonnenen Kenntnisstand soll eine Struktur entwickelt werden, die die an den verschiedenen bereits realisierten FET-Typen extrahierten Kennwerte in einem Bauelement vereint. Die aktive Materialschichtfolge ist homoepitaktisch auf einem undotierten oder Stickstoff-dotierten Substrat aufgewachsen. Die Gatesteuerstrecke wird durch einen PIN-Übergang in einem epitaktischen Rezeßgraben gebildet. Die epitaktische Rezeßtechnologie ist zu entwickeln und die Steuerstrecke der Diode, deren N-Gebiet ein verlustbehaftetes Dielektrikum darstellt, ist zu optimieren. Die angestrebten Charakteristiken der Bauelemente sind insbesondere: - hohe Drain-Stromdichte, d.h. hohe Träger-Schichtdichten von Ns 1013cm-2 im Kanal, - hohe maximale Source-Drain und Gate-Drain Spannung bei gleichzeitig hohem Ns, - hohe Akzeptoraktivierung bei mittlerer Temperatur durch deltaförmiges Dotierprofil - geringe parasitäre Leckströme über Gate und Substrat, - Temperaturstabilität und geringe Dispersionseffekte - Grenzfrequenzen im (unteren) GHz-Bereich.