Magnetismus an epitaktischen Ferromagnet/Oxid-Grenzflächen

在这一点上，我们有一个潜在的可能，那就是在德国的数据中，所有的数据都是这样的。铁磁体-隔离器-格伦兹夫勒的铁磁体-隔离器。在DEM hier vorgeschlagenen Forschungsprojekt Sollen a Einkristallinen Moellsystem en Magtische Grizflächeneigenschaften an einer Grizfläche铁磁体-Isolator MIT Hilfe von in Site Tortions-Oszillations-Magnettrol e bstimt是一种估计的方法。这是一个很好的例子，Isolator schichten epitaktisch auf Iron磁体Oberfläche aufzuwachsen。Aluminiumoxid-Schichten haben sich Bisher am be für Tunnelkontaktsystem e geeignet herossterellt.这是Daher vorgeseen，zunächst氧化铝氧化Schichten auf单晶Fe(110)-和Co(0001)-Schichten aufzubringen，Dihrseits auf einer W(110)-Oberfläche aufgewachsen Wurden。磁矩、各向异性、原地磁矩和氧化磁化强度。Co-Fe/Al，Co-Fe/O-和Co-Fe/Al_2O_3-Grizflächen ergeben Anhaltspunkte für den Chemischen Zustand der Grizfläche。您的位置：我也知道>教育/科学>磁学>电离层>电离光电子能谱>电离层。

In den letzten Jahren haben magnetische Tunnelkontakte wegen ihrer potentiellen Anwendungsmöglichkeit in der Datenspeicherung eine große Bedeutung erlangt. Die Eigenschaften der Tunnelkontakte hängen empfindlich von den Grenzflächeneigenschaften an der Ferromagnet-Isolator-Grenzfläche ab. In dem hier vorgeschlagenen Forschungsprojekt sollen an einkristallinen Modellsystemen magnetische Grenzflächeneigenschaften an einer Grenzfläche Ferromagnet-Isolator mit Hilfe von in situ Torsions-Oszillations-Magnetometrie bestimmt werden. Es wird angestrebt, Isolatorschichten epitaktisch auf ferromagnetischer Oberfläche aufzuwachsen. Aluminiumoxid-Schichten haben sich bisher als am besten für Tunnelkontaktsysteme geeignet herausgestellt. Es ist daher vorgesehen, zunächst AluminiumoxidSchichten auf einkristalline Fe(110)- und Co(0001)-Schichten aufzubringen, die ihrerseits auf einer W(110)-Oberfläche aufgewachsen wurden. Magnetisches Moment und Anisotropie können in situ und während der Oxidation gemessen werden. Unterschiede in den magnetischen Eigenschaften von Co-Fe/Al, Co-Fe/O- und Co-Fe/Al2O3-Grenzflächen ergeben Anhaltspunkte für den chemischen Zustand der Grenzfläche. Für eine von den magnetischen Messungen unabhängige Bestimmung des chemischen Zustands der Isolatorschichten soll XPS eingesetzt werden.