Ion beam synthesis of optically active nanocrystals of II-VI compound-semi-conductors
Ion beam synthesis of optically active nanocrystals of II-VI compound-semi-conductors
批准号:
5267724
负责人:
Professor Dr. Bernd Stritzker
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2000
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1999-12-31 至 2003-12-31
中文摘要
离子束法合成II-VI族化合物CdSe、CdTe和CdS纳米晶的研究ZnSe、ZnTe和ZnS在介电材料中的吸收和分析是韦尔登的重要组成部分。这种结果使异质材料系统在集成电路中得到应用,光学元件在硅基韦尔登上的应用(ELD、显示器、滤光片、照明器)。Der Einfluenza der für Nanokristallite wichtigen Parameter wie Quantenconfinition,Grenzflächenstruktur und Dotierung auf die Lumineszenzeigenschaften soll detailliert an diesen II-VI-Halbleitern mit direkter Bandlücke untersucht韦尔登.离子束合成将在第四届Lehrstuhl大会上进行广泛的研究和讨论。在此项目中,我们将结合离子束合成韦尔登的技术,提出一种新的合成方法。Daddy wird bei hohem Probably cheap eine systematische Combination verbably edener Implantationsdosen der den II-VI Verbindungshalbleiter constituierenden Elemente und Dotanden ermöglicht.结果的预测是建立在透射电子显微镜(TEM)的基础上的分析方法,该方法包括能量光散射、Röntgenstrukturanalysis、optische Spektroskopie、卢瑟福背散射(Rutherford-Backscattering)、散射和西姆斯。
英文摘要
Mittels Ionenstrahlsynthese sollen Nanokristalle der II-VI-Verbindungshalbleiter CdSe, CdTe und CdS bzw. ZnSe, ZnTe und ZnS oberflächennah in dielektrischen Matrizen hergestellt und analysiert werden. Diese daraus resultierenden heterogenen Materialsysteme können im Bereich integrierter, optisch aktiver Bauelemente auf Siliziumbasis eingesetzt werden (ELD, Display, Filter, Lichtleiter, Lichtverstärker). Der Einfluß der für Nanokristallite wichtigen Parameter wie Quantenconfinement, Grenzflächenstruktur und Dotierung auf die Lumineszenzeigenschaften soll detailliert an diesen II-VI-Halbleitern mit direkter Bandlücke untersucht werden. Die Ionenstrahlsynthese wird seit vielen Jahren am Lehrstuhl IV erfolgreich erforscht und weiterentwickelt. Im Rahmen dieses Projektes wird die kombinatorische Methode zum ersten Mal auf die Technik der Ionenstrahlsynthese angewandt werden. Dadurch wird bei hohem Probendurchsatz eine systematische Kombination verschiedener Implantationsdosen der den II-VI Verbindungshalbleiter konstituierenden Elemente und Dotanden ermöglicht. Entscheidend für den Erfolg sind die am Lehrstuhl etablierten Analysemethoden wie TEM mit abbildender Energieverlust-Spektroskopie, Röntgenstrukturanalyse, optische Spektroskopie, Rutherford-Backscattering, Channeling und SIMS.
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负责人:Professor Dr. Bernd Stritzker
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依托单位:
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