Schichtstrukturdesign für Antimonid-III-V-Halbleiter-Quantenfilme - einfache Berechnungsmethoden und experimentelle Überprüfung

对于在Epitaxelaboratorien中实现III-V-Halbleiter-Quantenfilmstrukturen的tägliche Design komplizierter，die schnell und genau durchzuführen sind.我们可以将薛定谔-格莱辛的一维模型转换为一个带效应质量模型，这是一个基于“Schiesten“方法的模型。在AlGaInAsSb材料体系中，采用I型和II型异质结的III-V半导体结构的实际应用能力是韦尔登。Zum anderen soll ein effizienter und einfacher Mehrband-Scheirmus auf Basis eines verbesserten Schief-Differenzen-Verfahrens，implementiert und experimentell überprüft韦尔登，der komplizierte Mehrfachquantenfilm- und Übergitterstrukturen geignet ist.

Für das tägliche Design komplizierter III-V-Halbleiter-Quantenfilmstrukturen in Epitaxielaboratorien fehlt es an einfachen Berechnungsverfahren, die schnell und genau durchzuführen sind. Wir schlagen hier zur Lösung der eindimensionalen zeitunabhängigen Schrödinger-Gleichung zum einen ein einfaches Ein-BandEffektiv-Masse-Modell vor, das von einer verbesserten "Schieß"Methode Gebrauch macht. Die Praktikabilität des Ansatzes und der Annahmen soll an molekularstrahlepitaktisch zu wachsenden III-V-Halbleiterstrukturen mit Typ I- und Typ II-Heteroübergängen im AlGaInAsSb-Materialsystem überprüft werden. Zum anderen soll ein effizienter und einfacher Mehrband-Algorithmus auf Basis eines verbesserten Finite-Differenzen-Schieß-Verfahrens, implementiert und experimentell überprüft werden, der für komplizierte Mehrfachquantenfilm- und Übergitterstrukturen geeignet ist.