Bandstruktur und Störstellen in ternären Nitridverbindungen

研究发现，GaN和AlGaN材料体系的p型缺陷具有很强的补偿机制。因此，必须解决MBE和MOVPE两种洗涤方法的不平衡问题，以及洗涤剂在钝化/补偿中的作用，并使其成为镁合金的一种结构。Löcherkonzentration的局限性在于，如果Akzeptoren找到一种类似于Berkovorhersagt的理论，那么它就可以成为一种具有约束力的能源。实验表明，通过对被测物体的测量，可以获得被测物体的自补偿。AlInN的能带结构是一种很好的增强材料，因为这种材料系统对GaN或InGaN-Schichten有很大的巴里埃阻挡作用。

Das Forschungsvorhaben widmet sich den Kompensationsmechanismen und den daran beteiligten Defekten bei der p-Dotierung der Materialsysteme GaN und AlGaN. Hierbei sollen insbesondere die Unterschiede in den zwei Wachstumsmethoden MBE und MOVPE herausgearbeitet werden und die Rolle des Wasserstoffs in der Passivierung/Kompensation und beim Einbau der Magnesiumakzeptoren geklärt werden. Die Limitierungen in der Löcherkonzentration ließen sich dann vermeiden, wenn es gelingt Akzeptoren zu finden die bei gleich gutem Einbau eine geringere Bindungsenergie besitzen wie es die Theorie für Beryllium vorhersagt. Die experimentellen Untersuchungen zu Beryllium sollen diese Vorhersagen überprüfen und klarstellen, ob eine Selbstkompensation über amphoteres Verhalten des Be vorliegt. Das Ziel der Bandstrukturuntersuchung im ternären Legierungssystem AlInN ist die Aufklärung darüber, inwieweit dieses Materialsystem geeignet ist, als gitterangepaßte Barriere für GaN- oder InGaN-Schichten zu dienen.