Elektronische Transporteigenschaften polarisationsinduzierter, zweidimensionaler Elektronen- und Löchergase in AlInGaN/GaN-basierenden Heterostrukturen hergestellt durch Epitaxie auf freitragenden GaN- bzw. Saphir-Substraten

这一研究项目是通过AlGaN/InGaN异质结的封装实现高分辨率的二维电子学。在高压电极化和III族氮化物的自发极化下，通过优化的平面极化韦尔登来解决2DEG异质结构问题。Nach dem gegenwärtigen Erkenntnistand ist dies努尔bei expliziter Berücksichtigung der starken intrischen elektrischen Felder in Nitrid-Heterostrukturen reproduzierbar möglich. Die geplanten Experimente sollen insbesondere ein grundschedule des Verständnis der Ausstellungen der spontanen and piezoelektrischen Polarisation in Heterostrukturen aus Gruppe III-Nitriden auf die Ladungsträgerverteilungen，die Bildung zweidimensionaler Elektronengase und strahlende Rekombinationsprozesse ermöglichen.通过对C-V-Messungen系统中的异质结流场的一般分析，可以确定太赫兹频谱韦尔登的方向。Ein Verständnis der starken intrinsischen Felder ist eine unabdingbare Voraussetzung für die Optimierung des Designs und der Performance von Transistoren und anderen Bauelementen.

Ziel des geplanten Forschungsprojekts ist die Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler Elektronengase durch die Herstellung von AlGaN/InGaN-Heterostrukturen. Unter Ausnutzung der hohen piezoelektrischen und spontanen Polarisation der Gruppe III-Nitride und speziell deren Heterostrukturen sollen 2DEG mit optimierten Flächenladungsdichten hergestellt werden. Nach dem gegenwärtigen Erkenntnisstand ist dies nur bei expliziter Berücksichtigung der starken intrinsischen elektrischen Felder in Nitrid-Heterostrukturen reproduzierbar möglich. Die geplanten Experimente sollen insbesondere ein grundlegendes Verständnis der Auswirkungen der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Heterostrukturen aus Gruppe III-Nitriden auf die Ladungsträgerverteilungen, die Bildung zweidimensionaler Elektronengase und strahlende Rekombinationsprozesse ermöglichen. Vorzeichen und Stärke der intrinsischen Felder sollen durch eine genaue Analyse der Ladungsträgerverteilung an Heterogrenzflächen mittels C-V-Messungen sowie direkt mittels Terahertz-Spektroskopie ermittelt werden. Ein Verständnis der starken intrinsischen Felder ist eine unabdingbare Voraussetzung für die Optimierung des Designs und der Performance von Transistoren und anderen Bauelementen.