Modellierung, Simulation und Optimierung der Herstellung von GaN-basierenden heterostruktur Feldeffekttransistoren insbesondere mit InGaN Kanal

这种结构是通过AlGaN/GaN-HFET结构和AlGaN/GaN-Strukturen结构的系统变化和优化而形成的，主要是通过压电、高电压和低电压来实现的，从而提高了温度稳定性。通过对韦尔登河卡纳尔内的高压水流和上流场的影响的巴里埃中的AlGehaltes的研究，确定了在400°C温度下的动态稳定性。这两个单独的元件用InGaN管和一个AlGaN栅用高铝韦尔登制成。一个AlN屏障需要一个被屏蔽的门二极管的连接。Die Möglichkeit durch Oxidation von AlN-Barrieren zu Al2O3 soll zur Abschätzung dienen，ob MOS Bauelemente möglich sind.采用DLC或Si 3 N 4等极强的非晶材料进行钝化，可通过GaN异质结元件进行钝化，并可通过大信号扩散韦尔登产生影响。本研究是对金刚石和类金刚石薄膜在GaN异质结结构上的钝化和减阻作用的实验研究，也是对自由GaN衬底的钝化和减阻作用的实验研究。

Das Ziel dieses Vorhabens ist es, durch systematische Variation und Optimierung kanaldotierter AlGaN/GaN-HFET-Strukturen und AlGaN/GaN-Strukturen, bei denen die Piezoladung dominiert, hohe Stromdichten und Durchbruchsspannungen, bei gleichzeitiger Temperaturstabilität, zu erzielen. Mit der Erhöhung des AlGehaltes in der Barriere soll der Einfluß der Piezoladung im Kanal und deren Gegenladung an der Oberfläche durch elektrische Charakterisierung bestimmt werden, insbesondere das dynamische Verhalten im Temperaturbereich bis 400°C. Des weiteren sollen Bauelemente mit InGaN-Kanal und einer AlGaN-Barriere mit hohem Al-Gehalt untersucht werden. Eine AlN-Barriere soll eine Verbesserung der Gate-Diodeneigenschaften bewirken. Die Möglichkeit durch Oxidation von AlN-Barrieren zu Al2O3 soll zur Abschätzung dienen, ob MOS-Bauelemente möglich sind. Passivierungsversuche mit verlustbehafteten Dieelektrika, wie DLC oder Si3N4, auf GaN-Heterobauelementen sollen durchgeführt und deren Einfluß auf die Großsignaldispesion untersucht werden. Als Studie sind Abscheideexperimente von Diamant und DLC für Passivierung und Wärmesenke auf der Oberseite von strukturierten GaN-Heterobauelementen sowie auf der Rückseite von freistehenden GaN-Substraten vorgesehen.