Boundary-value problems including spectral parameters and hybrid models for semi-conductor device simulations

您的位置：我也知道>教育/科学>哈尔布利特>哈尔布利特和哈尔布利特，Z.B.Der Aktiven区域的激光。从数字上看，这是一种新的模式，也是一种新的模式，这是一种新的模式，也是一种新的模式。在这两个国家之间，我们有自己的一套系统。在所有的技术体系中，我们发现了一个新的技术体系，以及一个新的技术体系。这是一个非常重要的问题，因为这是一个非常重要的问题。此外，数学化的拉赫门für的行为肺柴油机自动清空这是一个模型，以此为基础的特殊参数。在特殊的Fällen einen selbstadjugierten算子中，我们使用了一种新的方法来解释系统的哈密顿问题。Das Hauptinteresse Gilt Hybrimodellen，即Aus Drift-DiffusionsModelen and Schrödinger-Poisson-Systmen im 1D-Fall和2D-Fall。Nachweis von Deren分析家和数学家L·巴尔基特。在现有的程序设计和数值模拟和优化中找到了解决问题的方法。

Die zunehmende Miniaturisierung von Halbleitern erzwingt die Berücksichtigung von Quanteneffekten zumindestens in Teilbereichen des Halbleiters, z.B. der aktiven Zone eines Lasers. Da sich in den übrigen Bereichen eine Beschreibung durch numerisch erprobte klassische Modelle anbietet, ist die Etablierung von Hybridmodellen, bestehend aus klassischen und quantenmechanischen Modellen, eine wichtige Aufgabe. Entscheidend ist dabei, physikalische Prinzipien, die das System als Ganzes betreffen, korrekt umzusetzen. In erster Linie heißt das, korrekte Randbedingungen für das offene quantenmechanische Teilsystem zu finden, die einen stetigen Stromfluss vom offenen quantenmechanischen Teilsystem zum klassischen System erlauben, zugleich aber sicherstellen, dass das quantenmechanische Teilsystem sich in ein umfassenderes abgeschlossenes Quantensystem einordnet. Die letzte Forderung ist zwingend geboten, da eine konsistente quantenmechanische Behandlung nur für abgeschlossene Systeme möglich ist. Als mathematisch adäquater Rahmen für die Behandlung dieser Aufgabe empfiehlt sich eine Modellierung durch spektralparameterabhängige Randbedingungen. Durch "Linearisierung des nichtlinearen Eigenwertproblems" erhält man in speziellen Fällen einen selbstadjungierten Operator, der als Hamiltonian des umfassenderen abgeschlossenen Systems interpretiert werden kann. Das Hauptinteresse gilt Hybridmodellen, bestehend aus Drift-Diffusionsmodellen und Schrödinger-Poisson-Systemen im 1D-Fall und 2D-Fall. Ziel ist der Nachweis von deren analytischer und numerischer Lösbarkeit. Die Ergebnisse sollen Berücksichtigung in existierenden Programmpaketen zur numerischen Simulation und Optimierung von Halbleiterbauelementen finden.