Porenätzung in Germanium

Poröse Halbleiter sind aus zwei gr<s:1> nden von großem Interesse；1 . Ungewöhnliche noch unverstandene本征schaften dieser of mesoskopischen der nanoskopischen Systeme eröffnen neue forschungsfeld mit hohem anwendungpotential。《可持续发展的机制》是一篇关于未来发展的文章。在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国。Porenätzung in Germanium ist jedoch von großem Interesse, einterseits um in besseres Verständnis der Porenätzung in halbleterne zu erzielen, andererseits weil schon die Ergebnisse erstersterorientierder Versuche zu interessant Strukturen mit hohem anwendungpotential fhrten。<s:1>宗法研究<e:1>系统研究Porenätzung。第一个项目是nsf - dfg - kooperationsforhabeneinzubringen项目。

Poröse Halbleiter sind aus zwei Gründen von großem Interesse: 1. Ungewöhnliche und oft noch unverstandene Eigenschaften dieser oft mesoskopischen oder nanoskopischen Systeme eröffnen neue Forschungsfelder mit hohem Anwendungspotential. 2. Der Mechanismus der Porenbildung ist trotz intensiver Forschung noch nicht sehr gut verstanden. Der letzte Punkt wird sehr deutlich belegt durch erste Versuche zur Porenätzung in Ge: Niemand war oder ist in der Lage Ätzungsergebnisse vorherzusagen, und selbst vage Vermutungen der Kieler Arbeitsgruppe wurden zunächst nicht bestätigt. Porenätzung in Germanium ist jedoch von großem Interesse, einerseits um ein besseres Verständnis der Porenätzung in Halbleitern zu erzielen, andererseits weil schon die Ergebnisse erster orientierender Versuche zu sehr interessanten Strukturen mit hohem Anwendungspotential führten. Beantragt wird Unterstützung für eine systematische Studie der Porenätzung in Ge. Es ist geplant, das Projekt in ein NSF-DFG-Kooperationsvorhaben einzubringen.