Rationales Design von neuen Materialien für die Mikroelektronik

从低K到高K的低k和高k的Anwendungen Sowie die Silberabscheidung weiter entwickeln。本文介绍了一种低k值物质的物理化学原理，并对其进行了分析。这是一种新的功能和材料的合成方法，它是一种新型的材料合成方法，它的主要特点是使材料的性能得到改善。我们合成了一种新型的有机金属材料--高k材料和一种新型有机金属材料。这是一种高k低k材料的生产工艺，也是一种新的生产工艺。

Aufgrund der bisherigen positiven Ergebnisse wollen wir in dem beantragten Forschungsvorhaben die Herstellung neuer Materialien für low-k und high-k Anwendungen sowie die Silberabscheidung weiter entwickeln. Auf dem Thema der low-k-Materialien soll die physikalische Chemie in und an Silsequioxan-Filmen untersucht werden. Als neue Ansätze verfolgen wir folgende Schwerpunkte: - Modulation der dielektrischen Eigenschaften - Verständnis der dynamischen Veränderungen bei der Herstellung von Composit-Filmen - Einfluß der chemischen Funktionalität bei der Degradation von Polymerfilmen - Nukleation und Oberflächenmodifikation von Nanopartikeln Insbesondere werden Composit-Materialien mit niedriger oder nach Bedarf einstellbarer Dielektrizitätskonstante gezielt synthetisiert und in Hinblick auf ihre physikalisch-chemischen Eigenschaften charakterisiert. Weiterhin werden Synthesewege zu neuen organometallischen Precursoren mit einstellbarem Aggregatszustand für die Herstellung von high-k-Materialien und die Silberabscheidung entwickelt. Die Zusammenarbeit mit den Verbundpartnern im Forschungsschwerpunkt soll es ermöglichen, physikalische Meßmethoden für die Charakterisierung von high- und low-k Materialien gemeinsam zu nutzen und weiter zu entwickeln sowie die Materialien und Precursoren unter den Prozessbedingungen der Elektrotechnik zu testen.