Tunnelmagnetowiderstandselemente mit Schottky-Kontakten auf Halbleitern

在磁隧道元件中，铁磁电极上的磁感应相对取向的隧道宽站有一个明显的Abhängigkeit。这一“TMR效应”是在近几年来通过密集的世界研究而产生的。60%（用于3d-铁磁体的电极）在室温下获得，这是TMR的增强，用于无裂纹的材料组合。将人的隧道元件带到Halbleiter als Substrat上，这样就可以在铁磁电极和Halbleiter之间的Grenzfläche zwischen上实现肖特基势垒。Unber diese können Elektronen，die über die Tunnelbarriere durch die Elektrode ballistisch bis zur Schottky-Barriere gelangen als Kollektorstrom hinwegkommen，wenn ihre Energie（d.h.隧道的延伸是巨大的。在Kollektorstrom写了一个“磁宽站”，d.h.电子器件的Zahl，对肖特基势垒的能量损耗，对铁磁电子器件的磁性相对取向有很大的影响。

In magnetischen Tunnelelementen tritt eine starke Abhängigkeit des Tunnelwiderstandes von der relativen Orientierung der Magnetisierungen der beiden ferromagnetischen Elektroden auf. Dieser "TMR-Effekt" wurde in den letzten Jahren durch intensive weltweite Forschungsarbeiten auf Werte bis zu ca. 60% (für Elektroden aus 3d-Ferromagneten) bei Raumtemperatur getrieben, wobei die Grenze des TMR für vorgegebene Materialkombinationen nach wie vor nicht klar ist. Bringt man solche Tunnelelemente auf einen Halbleiter als Substrat, so kann sich an der Grenzfläche zwischen der ferromagnetischen Elektrode und dem Halbleiter eine Schottky-Barriere aufbauen. Über diese können Elektronen, die über die Tunnelbarriere durch die Elektrode ballistisch bis zur Schottky-Barriere gelangen als Kollektorstrom hinwegkommen, wenn ihre Energie (d.h. die angelegte Tunnelspannung) groß genug ist. Im Kollektorstrom tritt zudem ebenfalls ein "Magnetowiderstand" auf, d.h. die Zahl der Elektronen, die ohne Energieverlust zur Schottkybarriere gelangen, hängt drastisch von der relativen Orientierung der Magnetisierungen der ferromagnetischen Elektroden ab.