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Precise structure control of 3-dimensional integration CMOS using high mobility materials through layer transfer

Precise structure control of 3-dimensional integration CMOS using high mobility materials through layer transfer
通过层转移使用高迁移率材料对 3 维集成 CMOS 进行精确结构控制
批准号：
17H06148
负责人：
Takagi Shinichi
金额：
$132.2万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-05-31 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H06148/
关键词：
MOSFETゲルマニウムIII-V族化合物半導体3次元集積移動度結晶ひずみGeIII-VIII-V族半導体III-V半導体

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发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： S. Takagi and A. Ogura
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发表时间： 2021
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影响因子： --
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发表时间： 2020
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作者： [T. Maeda, T. Irisawa, H. Ishii, and W. H. Chang]
通讯作者： and W. H. Chang
共 140 条
    Understanding of carrier transport properties of Ge-On-Insulator CMOS and establishment of performance enhancement engineering
    • 批准号：
      26249038
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $26.54万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Takagi Shinichi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金