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Study of InSb-CMOS on Si subustrate by using surface reconstruction controlled epitaxy

Study of InSb-CMOS on Si subustrate by using surface reconstruction controlled epitaxy
表面重构控制外延硅衬底InSb-CMOS研究
批准号：
25289099
负责人：
Mori Masayuki
金额：
$11.4万
依托单位：
University of Toyama
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289099/
关键词：
InSbSi(111)InGaSbGaSbMOSFETALD短チャネル化表面再構成選択成長ゲート絶縁膜Al2O3界面準位オーバーラップ構造表面再構成制御成長法SOI基板

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Heteroepitaxial growth of InSb films on Si(100) substrate with micro facet structures
具有微面结构的 Si(100) 衬底上异质外延生长 InSb 薄膜
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [E. Umemura, M. Mori, T. Sakamoto, H. Shimoyama, K. Maezawa]
通讯作者： K. Maezawa
Selective area growth of InSb on Si(111) substrate by using Sb induced surface reconstruction
利用 Sb 诱导表面重构在 Si(111) 衬底上选择性区域生长 InSb
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [X. Wang, M. Mori, K. Maezawa]
通讯作者： K. Maezawa
Electrical Characterization of n+-InSb/p-Si Heterojunctions Grown by Surface Reconstruction Controlled Epitaxy
表面重构控制外延生长的 n -InSb/p-Si 异质结的电学特性
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Kimura, K. Hosotani, T. Ito, H. Shimoyama, T. Sakamoto, M. Mori, and K. Maezawa]
通讯作者： and K. Maezawa
Heteroepitaxial growth of InGaSb on GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga surface phase with two step growth method to investigate the impact of high-quality GaSb buffer layer
采用两步生长法在 GaSb/Si(111)-√3x√3-Ga 表面相上异质外延生长 InGaSb，研究高质量 GaSb 缓冲层的影响
DOI： 10.1002/pssb.201600528
发表时间： 2016
期刊： Phys. Status Solidi B
影响因子： --
作者： [A.A.Mohammad Monzur-Ul-Akhir, Masayuki Mori and Koichi Maezawa]
通讯作者： Masayuki Mori and Koichi Maezawa
共 23 条
    Elucidation of pathoetiology of porphyria by using a mouse model
    • 批准号：
      19K06455
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Mori Masayuki
    • 依托单位：
      Shinshu University
    Validity of Shorter Dual Antiplatelet therapy in Polymer-free Drug Coated Stent: Evidence from Porcine Coronary Model
    • 批准号：
      18K15842
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Mori Masayuki
    • 依托单位：
      Kanazawa University
    Study of InSb-related CMOS on Si substrate with surface reconstruction controled epitaxy
    • 批准号：
      18H01496
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.23万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Mori Masayuki
    • 依托单位：
      University of Toyama
    Calcium dysregulation by channelophay and pahological role in kidney podocyte
    国内基金
    海外基金
    基于Si（111）图形衬底选区外延生长的GaAs/InGaAs核壳结构纳米线激光器研究
    • 批准号：
      62174046
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      55万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      李林
    • 依托单位：
      海南师范大学
    镓烯在Si(111)表面的制备与物性研究
    • 批准号：
      11804282
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      25.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      陶敏龙
    • 依托单位：
      西南大学
    CH3-Si(111)基半导体外延结构的电沉积制备及光电性能研究
    • 批准号：
      20973153
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      32.0万元
    • 批准年份：
      2009
    • 负责人：
      刘润
    • 依托单位：
      浙江大学
    平躺相紧密堆型并五苯晶态薄膜在Si(111)面的分子束外延生长
    • 批准号：
      60806006
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      20.0万元
    • 批准年份：
      2008
    • 负责人：
      马海峰
    • 依托单位：
      燕山大学