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Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).

Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).
新成分 à GaN 基 (Nitre de Gallium)。
批准号:
RGPIN-2015-03765
负责人:
Maher, Hassan
金额:
$1.6万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
财政年份:
2016
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-01-01 至 2017-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Dans le Domaine de la MicroéElectronique,le Matériau le Plus Utiliséest le Silicium.Pour Répondre Aux De Diffandes Demandes du Marchéde Plus en plus Exameantes,Les Labatoire de Recherche Are Are Fire Des努力考虑小型化和作曲家Tout Eéant LimitéS Par les PropriétéS体质谦逊de ce Matériau。《机会与机遇报》第三至第五章介绍了S的另类半导体和半导体材料,其中包括硅胶材料的生产和生产。在此之前,我们有一个计划,那就是从技术到成分再加上氮化镓(GaN)的特殊要求,S大本营(GAP)。在此背景下,L所在的舍布鲁克大学采用了新的作曲家和作曲家技术。Dans MON PROGRAM DE REARCHE CHE JE CICBLE EN SPARTIER DUXER TYPE DO作曲家: ·转换者DC-DC ou DC-RF Pour la Producing de SystèmesètrèS Grande Puhance etétrèS Highant Effaciténergétique。 ·作曲家RF DestinéS Aux Circle Opérants Dans le Domaine Millimétrique 作曲家S的作曲家S的作曲家和干部们活跃在S的怀抱中,他们的应用和特殊领域包括通信、空间、军事、航空、汽车和图像等。作曲家S的作曲家为我们提供了一种新的、有效的发展技术。《干部方案》、《联合国环境保护例外情况》、《联合国环境与可持续发展技术报告》、《S的工作》和《联合国环境保护例外情况》共7个专题,均为S所罕见。
英文摘要
Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, les laboratoires de recherche arrivent à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limités par les propriétés physiques modestes de ce matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. Ainsi, mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium (GaN) qui est un matériau à très grand bande interdite (gap). Dans ce contexte, je développe à l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de composants sur substrat GaN. Dans mon programme de recherche je cible en particulier deux types de composants : • Convertisseurs DC-DC ou DC-RF pour la fabrication de systèmes à très grande puissance et à très haute efficacité énergétique. • Composants RF destinés aux circuits opérants dans le domaine millimétrique. Les composants à très grande valeur ajoutée qui seront réalisés dans le cadre de mes activités de recherche, ont un fort potentiel pour plusieurs types d'applications et plus particulièrement dans les domaines de la télécommunication, aérospatial, militaire, avionique, automotive, énergie et imagerie. De surcroit, ces composants présentent une très grande efficacité énergétique, un critère essentiel pour le développement technologique de la prochaine décennie. Dans le cadre de ce programme, 7 étudiants seront formés dans un environnement exceptionnel et bénéficieront d’une formation sur une technologie de pointe qui leur permettra éventuellement de continuer leur carrière dans le domaine de la microélectronique avec une expertise, de nos jours, très rare.
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Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号:
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号:
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号:
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
Advanced back end processing for high breakdown voltage and low thermal resistance GaN power transistor
  • 批准号:
    497994-2016
  • 项目类别:
    Collaborative Research and Development Grants
  • 资助金额:
    $6.99万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
海外基金