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Ion Beam Etching and Deposition Equipment
离子束蚀刻和沉积设备
基本信息
- 批准号：8103744
- 负责人：
- 金额：$ 4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1981
- 资助国家：美国
- 起止时间：1981-04-01 至 1982-09-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Tetrahedrally Coordinated II-VI Semiconductors and Their Heterostructures: Basic Studies and Opto-Electronic Applications
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- 批准号：
9221390 - 财政年份：1993
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II-VI 半导体、稀磁半导体 (DMS) 及其超晶格
- 批准号：
8913706 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
Continuing Grant
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8606241 - 财政年份：1986
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
Standard Grant
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8406041 - 财政年份：1984
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
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相似国自然基金
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- 批准号：12301229
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- 批准年份：2014
- 资助金额：100.0 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
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利用簇束进行位置特定原子层蚀刻的超精密制造技术
- 批准号：
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Development of multicharged ion beam assisted processing technology for high-speed etching of titanium micro mold
钛微模具高速刻蚀多电荷离子束辅助加工技术开发
- 批准号：
17K06101 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
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Atomic layer etching of transition metal chalcogenide with gas cluster ion beam
气体团簇离子束对过渡金属硫族化物的原子层刻蚀
- 批准号：
17K05061 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
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Nanopatterning of functional materials by transfer of nanoimprint-guided ordered block copolymer structures by means of reactive ion beam etching
通过反应离子束蚀刻转移纳米压印引导的有序嵌段共聚物结构来形成功能材料的纳米图案
- 批准号：
281331116 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
Research Grants
Directional ion beam etching for nanodevice fabrication
用于纳米器件制造的定向离子束蚀刻
- 批准号：
440446-2013 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
Research Tools and Instruments - Category 1 (<$150,000)
Trial manufacture offine finish diamond etching machine using electron, ion, and laser beam.
试制电子、离子、激光束精加工金刚石蚀刻机。
- 批准号：
12650123 - 财政年份：2000
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$ 4万 - 项目类别：
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SBIR Phase I: Development of a Hypervelocity Neutral Beam Tool for Selective, Damage-Free and Anisotropic Etching of Silicon Dioxide
SBIR 第一阶段：开发超高速中性束工具，用于二氧化硅的选择性、无损伤和各向异性蚀刻
- 批准号：
9761497 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
Standard Grant
Two-Dimensional X-Ray Collimation Grid by Ion Beam Etching
离子束蚀刻二维 X 射线准直网格
- 批准号：
9361195 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
Standard Grant
Fundamental research on low energy electron beam assisted selective etching and deposition for submicron LSI fabrication
低能电子束辅助选择性刻蚀和亚微米LSI沉积沉积基础研究
- 批准号：
03452181 - 财政年份：1991
- 资助金额：
$ 4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
Improvement and application of high-vacuum evaporater with condensed-light beam heater for deep-etching replication of TEM specimen
聚光束加热器高真空蒸发器深蚀复制TEM样品的改进及应用
- 批准号：
02559005 - 财政年份：1990
- 资助金额：
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