II-VI Semiconductors, Diluted Magnetic Semiconductors (DMS) and their Superlattices

II-VI 半导体、稀磁半导体 (DMS) 及其超晶格

基本信息

  • 批准号:
    8913706
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 204.8万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1989-11-01 至 1993-10-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This award from the Materials Research Group (MRG) Program of the Division of Materials Research will support a multi-investigator, multi-disciplinary research program at Purdue University on II-VI semiconductors, diluted magnetic semiconductors (DMS), and their sub-micron heterostructures. The unique combination of semiconducting and magnetic properties exhibited by DMS substances and the wide band gaps available in II-VI semiconductors offer long-term potential for new materials and technology. The MRG activity at Purdue University is headed by Professors R.L. Gunshor and A.K. Ramdas, and also involves the research group of Professor J. Furdyna at Notre Dame. Comprehensive materials preparation, design, and fabrication, as well as a range of physical measurements and theoretical studies will be carried out under the program. These include spectroscopic studies (Raman, Brillouin, infrared, photoluminescence, piezo- and photo-modulated reflectivity); transmission electron microscopy; and Faraday effect and related magneto-optic investigations. Bulk crystals grown in the crystal growth facility as well as sub-micron heterostructures grown in Molecular Beam Epitaxy and Atomic Layer Epitaxy facilities will be specially prepared to address issues important in the context of basic materials science and engineering, and with potential for leading to new technology and devices. Collective and localized excitations (vibrational, electronic, magnetic); the nature of the interfaces in sub-micron heterostructures; the novel aspects of the excitations in the sub-micron structures; exchange interaction, magnetic ordering, and the physics of quantum wells are illustrative examples of the wide range of physical problems within the scope of the Purdue MRG activity.
该奖项来自材料研究部材料研究小组(MRG)项目,将支持普渡大学在II-VI半导体、稀释磁性半导体(DMS)及其亚微米异质结构方面的多学科研究项目。DMS物质所表现出的半导体和磁性的独特组合,以及II-VI半导体中可用的宽带隙,为新材料和新技术提供了长期的潜力。普渡大学的核磁共振成像活动由R.L. Gunshor教授和A.K. Ramdas教授领导,圣母大学的J. Furdyna教授的研究小组也参与其中。全面的材料准备,设计和制造,以及一系列的物理测量和理论研究将在该计划下进行。这些包括光谱研究(拉曼、布里渊、红外、光致发光、压电和光调制反射率);透射电镜;法拉第效应和相关的磁光研究。在晶体生长设施中生长的大块晶体以及在分子束外延和原子层外延设施中生长的亚微米异质结构将专门用于解决基础材料科学和工程背景下的重要问题,并具有引领新技术和设备的潜力。集体和局部激励(振动、电子、磁);亚微米异质结构中界面的性质亚微米结构中激发的新方面交换相互作用、磁有序和量子阱的物理学是普渡大学MRG活动范围内广泛的物理问题的说明性例子。

项目成果

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