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Role of Semiconductor Etching and Metal Deposition Approaches in Schottky Barrier Diode Formation
半导体蚀刻和金属沉积方法在肖特基势垒二极管形成中的作用
基本信息
- 批准号：8116093
- 负责人：
- 金额：$ 1.6万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1982
- 资助国家：美国
- 起止时间：1982-02-01 至 1984-07-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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$ 1.6万 - 项目类别：
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0240378 - 财政年份：2002
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ATE Regional Center for Nanofabrication Manufacturing Education
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0101635 - 财政年份：2001
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硅上金属薄膜绝缘体半导体结构
- 批准号：
7612874 - 财政年份：1976
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Standard Grant
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MRI: Track 1 Acquisition of a Deep Reactive Ion Etching System for Enhanced Semiconductor Processing Capability
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- 批准号：
1819610 - 财政年份：2018
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Etching and characterization of thin films for semiconductor applications
半导体应用薄膜的蚀刻和表征
- 批准号：
532128-2018 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 1.6万 - 项目类别：
Experience Awards (previously Industrial Undergraduate Student Research Awards)
Research on ultrafine nitride semiconductor nanostructure for optical device platform fabricated by low-damege etching technique
低损伤刻蚀技术制备光器件平台超细氮化物半导体纳米结构的研究
- 批准号：
17H02747 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 1.6万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Etching and characterization of thin films for semiconductor applications
半导体应用薄膜的蚀刻和表征
- 批准号：
509199-2017 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 1.6万 - 项目类别：
Experience Awards (previously Industrial Undergraduate Student Research Awards)
CAREER: Microwave-Assisted Ionic Liquid Etching of Colloidal III-V Semiconductor Nanocrystals
职业：胶体 III-V 半导体纳米晶体的微波辅助离子液体蚀刻
- 批准号：
1654793 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 1.6万 - 项目类别：
Continuing Grant
Microfabrication of Semiconductor Surface by Photoelectrochemical Etching Technique
光电化学刻蚀技术半导体表面微加工
- 批准号：
11650843 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 1.6万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study of shock wave generations using laser irradiation in jet flows for the purpose of developing debris removal method in semiconductor etching process.
研究在射流中使用激光照射产生冲击波，以开发半导体蚀刻过程中的碎片去除方法。
- 批准号：
11650163 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 1.6万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)