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Role of Semiconductor Etching and Metal Deposition Approaches in Schottky Barrier Diode Formation

Role of Semiconductor Etching and Metal Deposition Approaches in Schottky Barrier Diode Formation
半导体蚀刻和金属沉积方法在肖特基势垒二极管形成中的作用
批准号：
8116093
负责人：
Stephen Fonash
金额：
$1.6万
依托单位：
Pennsylvania State Univ University Park
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1982
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1982-02-01 至 1984-07-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8116093&HistoricalAwards=false
关键词：
RoleSemiconductorEtchingMetalDeposition

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