刷新
{{item.name}}会员
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors (Materials Research)
非晶半导体中的局域电子态（材料研究）
基本信息
- 批准号：8304471
- 负责人：
- 金额：$ 39.42万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1983
- 资助国家：美国
- 起止时间：1983-07-15 至 1987-04-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
P. Craig Taylor其他文献
Optical properties of Ge–Sb–Te chalcogenides
- DOI：
10.1016/j.jnoncrysol.2007.10.088 - 发表时间：
2008-05-01 - 期刊：
- 影响因子：
- 作者：
Tong Ju;John Viner;Heng Li;P. Craig Taylor - 通讯作者：
P. Craig Taylor
P. Craig Taylor的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('P. Craig Taylor', 18)}}的其他基金
International Conference on Exotic Forms of Silicon
硅的奇异形式国际会议
- 批准号：
1521805 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Standard Grant
Renewable Energy Materials Research Science and Engineering Center
可再生能源材料研究科学与工程中心
- 批准号：
0820518 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
0702351 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
0307594 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
0073004 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Standard Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
9704946 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
U.S.-India Cooperative Research: Photoinduced Degradation in Doped Hydrogenated Amorphous Silicon, Award in US and Indian Currency
美印合作研究：掺杂氢化非晶硅的光致降解，荣获美国和印度货币奖
- 批准号：
9634604 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Standard Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
9403806 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
9001596 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
8615217 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
相似海外基金
Localized electronic states of defect structures in graphene
石墨烯缺陷结构的局域电子态
- 批准号：
17K04971 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
0702351 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
0307594 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
New methods for electronic excited states of solids using localized basis
使用局域基研究固体电子激发态的新方法
- 批准号：
14540368 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
U.S.-Chile Cooperative Research: Theoretical Studies of Extended and Localized Electronic States in Semiconductors and in their Low-Dimensional Structures
美国-智利合作研究：半导体及其低维结构中扩展和定域电子态的理论研究
- 批准号：
0100835 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Standard Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
0073004 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Standard Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
9704946 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的局域电子态
- 批准号：
9403806 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Continuing Grant
Developement of In-situ Modulation Spectroscopy for Atomically Localized Electronic States
原子局域电子态原位调制光谱学的发展
- 批准号：
05555088 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
Electronic properties and transition processes in semiconductor quantum box structures and artificially localized states (super-donors)
半导体量子盒结构和人工局域态（超级施主）的电子特性和跃迁过程
- 批准号：
04402030 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 39.42万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)