Localized Electronic States in Amorphous Semiconductors

非晶半导体中的局域电子态

基本信息

  • 批准号:
    9001596
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 32.52万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1990-05-01 至 1993-10-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Experimental investigations of the properties of amorphous semiconductors, especially metal-chalcogenide glasses, with the intention of understanding the defects which occur in these materials. Also to be addressed are questions regarding the microscopic origins of optically-induced paramagnetism and photodarkening in semiconducting chalcogenide glasses. A broadly-based experimental program will be applied, including methods such as magnetic resonance spectroscopy, optical spectroscopies, combinations of optical and magnetic resonance techniques, and electrical measurements.
实验研究非晶半导体,特别是金属硫系玻璃的性质,目的是了解这些材料中发生的缺陷。还将讨论有关半导体硫系玻璃中光学诱导顺磁性和光变暗的微观起源的问题。将应用基础广泛的实验程序,包括磁共振光谱、光谱学、光学和磁共振技术的组合以及电测量等方法。

项目成果

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