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Research Initiation: Selective Epitaxy of Gallium Arsenide By Organometallic Chemical Vapor Deposition

Research Initiation: Selective Epitaxy of Gallium Arsenide By Organometallic Chemical Vapor Deposition
研究启动：有机金属化学气相沉积选择性外延砷化镓
批准号：
8307396
负责人：
Kei Lau
金额：
$5.4万
依托单位：
University of Massachusetts Amherst
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1983
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1983-06-01 至 1985-11-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8307396&HistoricalAwards=false
关键词：
ResearchInitiationSelectiveEpitaxyGallium

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GaN Growth by OMVPE Using Novel Nitrogen Sources
  • 批准号：
    9522082
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $30.56万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    Kei Lau
  • 依托单位：
    University of Massachusetts Amherst
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