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Integration of GaAlAs Heterostructure Optoelectronics on Si Integrated Circuits for High Speed Interfaces and Interconnects

Integration of GaAlAs Heterostructure Optoelectronics on Si Integrated Circuits for High Speed Interfaces and Interconnects
用于高速接口和互连的 GaAlAs 异质结构光电器件在 Si 集成电路上的集成
批准号:
8807496
负责人:
Clifton Fonstad
金额:
$0.0万
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
1988
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
1988-11-01 至 1990-04-30

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
这项为期一年的研究工作建立在过去的分子生物学进展的基础上。 在以前的条件下实现了Si上GaAl As异质结构的束外延 NSF支持 它将集中精力提高 硅基连续波激光二极管 量子阱有源区,提高材料质量, 残余的“散装”层菌株。 与卡尔教授的合作 汤普森在材料科学与工程系的 成核的初始阶段和改进生长的发展 技术将继续。 选定区域的初步工作 外延将进行,并与同事积极合作, 在硅为导向的麻省理工学院微系统技术实验室将是 建立了一个发展序列,这是兼容 BICMOS进程。
英文摘要
This one-year research effort builds on past advances in the molecular beam epitaxy of GaA1As heterostructures on Si achieved under previous NSF support. It will concentrate on improving the performance of the cw laser diodes on silicon by incorporating compressive strain in the quantum well active regions, improving material quality, and reducing residual "bulk" layer strains. The collaboration with Professor Carl Thompson in the Department of Materials Science and Engineering on the initial stages of nucleation and on the development of improved growth techniques will be continued. Preliminary work on selective area epitaxy will be conducted, and an active collaboration with colleagues in the silicon-oriented MIT Microsystems Technology Laboratory will be established to develop a growth sequence which is compatible with their BICMOS process.
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会议论文
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国内基金
海外基金
蓝绿光敏感变Al组分GaAlAs光电阴极光电发射机理与制备技术研究
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    91433108
  • 项目类别:
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  • 项目类别:
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  • 资助金额:
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  • 批准年份:
    2011
  • 负责人:
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  • 依托单位: