Materials and Processing Research for High-Performance Optoelectronic Devices Employing III-V Compound Semiconductor Native Oxide Layers

采用 III-V 族化合物半导体原生氧化物层的高性能光电器件的材料和工艺研究

基本信息

  • 批准号:
    9612283
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 79.31万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1996-09-01 至 2000-08-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

9612283 Dupuis This multidisciplinarv research project, overlapping the disciplines of Materials Science, Electrical Engineering, and Chemistry comprises a comprehensive approach to study the synthesis and properties of thin film native oxides in technologically important III-V semiconductors, as well as addressing the improvement of optoelectronic devices through the use of these oxides. The overall aim is to achieve greater basic understanding and subsequent development of a native oxide suitable for compound semiconductor structures to obtain comparable performance to the role and importance of SiO2 in silicon based electronics. %%% The project combines concepts and methodologies from materials science, electrical engineering, chemistry and physics with advanced electronic, spectroscopic and structural characterization tools to address forefront issues at the interfaces between these disciplines. The research will contribute basic new knowledge at a fundamental level to several aspects of materials science engineering, and optoelectronics. An important feature of the program is the integration of research and education through the training of students in fundamental interdisciplinary research areas. ***
9612283 Dupuis这个多学科的研究项目,重叠的材料科学,电气工程和化学的学科,包括一个全面的方法来研究在技术上重要的III-V族半导体薄膜原生氧化物的合成和性能,以及通过使用这些氧化物解决光电器件的改进。 总体目标是实现对适合于化合物半导体结构的原生氧化物的更大的基本理解和后续开发,以获得与SiO2在硅基电子器件中的作用和重要性相当的性能。 该项目将材料科学、电气工程、化学和物理学的概念和方法与先进的电子、光谱和结构表征工具相结合,以解决这些学科之间接口的前沿问题。 该研究将为材料科学工程和光电子学的多个方面提供基础水平的基础新知识。 该计划的一个重要特点是通过在基础跨学科研究领域培养学生,将研究与教育相结合。 ***

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Russell Dupuis其他文献

Three-dimensional photoluminescence imaging of threading dislocations in GaN by sub-band optical excitation
  • DOI:
    10.1038/s41598-024-83398-0
  • 发表时间:
    2025-01-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.900
  • 作者:
    Matthias Daeumer;Jae-Hyuck Yoo;Zhiyu Xu;Minkyu Cho;Marzieh Bakhtiary-Noodeh;Theeradetch Detchprohm;Yuxuan Zhang;Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram;Vishank Talesara;Yibo Xu;Edward Letts;Daryl Key;Tian T. Li;Qinghui Shao;Russell Dupuis;Shyh-Chiang Shen;Wu Lu;Hongping Zhao;Tadao Hashimoto;Ted A. Laurence
  • 通讯作者:
    Ted A. Laurence

Russell Dupuis的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Russell Dupuis', 18)}}的其他基金

International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE) XVIII, San Diego CA, July 10-15, 2016
第十八届金属有机气相外延国际会议 (ICMOVPE),加利福尼亚州圣地亚哥,2016 年 7 月 10-15 日
  • 批准号:
    1639797
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Fundamental Studies of the Properties of B-III-N Wide-Bandgap Semiconductor Alloys
合作研究:B-III-N宽带隙半导体合金性能的基础研究
  • 批准号:
    1410874
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
International Symposium on the Growth of III-Nitrides (ISGN: Held in Atlanta, GA May 18-22, 2014
III 族氮化物生长国际研讨会(ISGN:2014 年 5 月 18-22 日在佐治亚州亚特兰大举行
  • 批准号:
    1439509
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
COLLABORATIVE RESEARCH: Nanobeam Lasers
合作研究:纳米束激光器
  • 批准号:
    1028563
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
NOVEL HIGH-PERFORMANCE III-N HBTS FOR NEXT-GENERATION ENERGY-EFFICIENT SYSTEMS
适用于下一代节能系统的新型高性能 III-N HBTS
  • 批准号:
    0725736
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Infrared Quantum-Cascade Lasers Based Upon III-V Nitride Heterostructures
基于 III-V 族氮化物异质结构的红外量子级联激光器
  • 批准号:
    0439270
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
GOALI: Growth of GaSb-Related Materials and Devices by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Advanced Optical Fiber Communication Applications
GOALI:通过金属有机化学气相沉积生长 GaSb 相关材料和器件,用于先进光纤通信应用
  • 批准号:
    0439616
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Growth and Characterization of Wide-Bandgap Self-Assembled Quantum Dots for Optoelectronic Devices
用于光电器件的宽带隙自组装量子点的生长和表征
  • 批准号:
    0438111
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
GOALI: Growth of GaSb-Related Materials and Devices by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Advanced Optical Fiber Communication Applications
GOALI:通过金属有机化学气相沉积生长 GaSb 相关材料和器件,用于先进光纤通信应用
  • 批准号:
    0115329
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Growth and Characterization of Wide-Bandgap Self-Assembled Quantum Dots for Optoelectronic Devices
用于光电器件的宽带隙自组装量子点的生长和表征
  • 批准号:
    0080630
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Continuing Grant

相似国自然基金

Sirt1通过调控Gli3 processing维持SHH信号促进髓母细胞瘤的发展及机制研究
  • 批准号:
    82373900
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    48 万元
  • 项目类别:
    面上项目
靶向Gli3 processing调控Shh信号通路的新型抑制剂治疗儿童髓母细胞瘤及相关作用机制研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

Collaborative Research: Distributed Predictive Control of Cold Atmospheric Microplasma Jet Arrays for Materials Processing
合作研究:用于材料加工的冷大气微等离子体射流阵列的分布式预测控制
  • 批准号:
    2302219
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Combinatorial solution processing of optical phase change materials
合作研究:光学相变材料的组合溶液加工
  • 批准号:
    2225968
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Combinatorial solution processing of optical phase change materials
合作研究:光学相变材料的组合溶液加工
  • 批准号:
    2225967
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: AI-Driven Multi-Scale Design of Materials under Processing Constraints
协作研究:人工智能驱动的加工约束下材料的多尺度设计
  • 批准号:
    2053840
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: AI-Driven Multi-Scale Design of Materials under Processing Constraints
协作研究:人工智能驱动的加工约束下材料的多尺度设计
  • 批准号:
    2053929
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Distributed Predictive Control of Cold Atmospheric Microplasma Jet Arrays for Materials Processing
合作研究:用于材料加工的冷大气微等离子体射流阵列的分布式预测控制
  • 批准号:
    1912757
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Distributed Predictive Control of Cold Atmospheric Microplasma Jet Arrays for Materials Processing
合作研究:用于材料加工的冷大气微等离子体射流阵列的分布式预测控制
  • 批准号:
    1912772
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Novel intelligent information processing devices created by electrochemical materials(Fostering Joint International Research)
由电化学材料创建的新型智能信息处理装置(促进国际联合研究)
  • 批准号:
    15KK0181
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
Materials and signal processing research and development for novel whole-surface pressure sensing technologies
新型全表面压力传感技术的材料和信号处理研究与开发
  • 批准号:
    458967-2013
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Industrial R&D Fellowships (IRDF)
Collaborative Research: GOALI - Non-Equilibrium Processes, Stability, Design and Control of Pulsed Plasmas for Materials Processing
合作研究:GOALI - 用于材料加工的脉冲等离子体的非平衡过程、稳定性、设计和控制
  • 批准号:
    1500099
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 79.31万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了