Operational Center for Silicon Wafer Engineering and Defect Science (Si WEDS)

硅晶圆工程和缺陷科学运营中心 (Si WEDS)

基本信息

  • 批准号:
    9726176
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 51万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1997-12-01 至 2004-06-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

ABSTRACT EEC-9726176 Rozgoni In order to be competitive in the integrated circuit industry, silicon chip manufacturers must continually strive to decrease the feature size of the components of the integrated circuits. A smaller feature size enables the chip manufacturers to both make smaller chips, fulfilling the market demand for ever smaller electronics, and to increase the yield of chips per silicon wafer, decreasing the cost per chip. In order to ensure high quality chips in high yields, the base material, the silicon wafer, must be as free from bulk and surface defects and imperfections as possible. It is estimated that in order to meet production demands in the year 2007, defect densities in silicon wafers must be below 0.01 per cm2. It is currently not known how this goal will be reached at a cost the industry can afford. The Industry/University Cooperative Research Center for Silicon Wafer Engineering and Defect Science (Si Weds) plans to provide critical solutions to increase yield, performance and reliability of silicon materials. The center is based at North Carolina State University, and is a partnership between Arizona State University, the University of Arizona, UC Berkeley, MIT, the University of South Florida, and Stanford University.
摘要EEC-9726176罗兹戈尼为了在集成电路行业中具有竞争力,硅芯片制造商必须不断努力减小集成电路组件的特征尺寸。更小的特征尺寸使芯片制造商既可以制造更小的芯片,满足市场对越来越小的电子产品的需求,又可以提高每片硅片的芯片产量,降低每片芯片的成本。为了确保高质量芯片的高成品率,基材,即硅片,必须尽可能地没有体块和表面缺陷和缺陷。据估计,为了满足2007年的生产需求,硅片中的缺陷密度必须低于每平方厘米0.01。目前尚不清楚如何以该行业能够承受的成本实现这一目标。硅片工程和缺陷科学产业/大学合作研究中心(SiWeds)计划提供关键解决方案,以提高硅材料的产量、性能和可靠性。该中心设在北卡罗来纳州立大学,是亚利桑那州立大学、亚利桑那大学、加州大学伯克利分校、麻省理工学院、南佛罗里达大学和斯坦福大学的合作伙伴。

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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