Plasmons in III-Nitrides and III-Nitride Plasma Wave Terahertz Detectors
III 族氮化物和 III 族氮化物等离子体波太赫兹探测器中的等离子体激元
基本信息
- 批准号:0801395
- 负责人:
- 金额:$ 30.09万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Continuing Grant
- 财政年份:2008
- 资助国家:美国
- 起止时间:2008-05-01 至 2012-04-30
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
AbstractECCS-0801395Y. Deng, University of South Carolina Research FdnObjective: The objective of the proposal is to fundamentally understand plasma wave oscillations in III-nitride materials and field-effect transistors and to develop integrable and tunable deep-submicron/nanoscale III-nitride plasma wave terahertz detectors. Fundamental understanding and exploitation of plasma wave oscillations in III-nitride materials and transistors holds a great promise to revolutionize terahertz electronics and advance the knowledge of mesoscopic and nanoscopic physics in III-nitrides. Intellectual Merit: The objective will be accomplished through four primary tasks: (1) development of theories and models for plasma wave oscillations in III-nitride materials; (2) characterization of plasma wave oscillations in III-nitride materials and validation of corresponding theories and models by experimental data; (3) development of detection theory for deep-submicron/nanoscale III-nitride plasma wave terahertz detectors; and (4) design, fabrication, and test of deep-submicron/nanoscale III-nitride plasma wave terahertz detectors and validation of the detection theory. Broader Impacts: The research will provide new insights and advance the knowledge on III-nitride device physics and material properties. The proposed terahertz detectors have a wide range of potential applications, including wireless communication for above 60 GHz, medical imaging, cancer diagnosis, far-infrared spectrum analysis, chemical-compound and biological-agent identification, etc. The principle investigator will integrate the research project with educational activities by: (1) outreach to students from local high schools, K-8 and the community through a hands-on exhibit at the South Carolina State Museum annually; (2) involvement of undergraduates, graduates, women, and minorities in the research program; (3) improvement of two undergraduate courses and two graduate courses; and (4) development of a new graduate course.
摘要ECCS-0801395Y。目的:该提案的目的是从根本上了解III-氮化物材料和场效应晶体管中的等离子体波振荡,并开发可集成和可调谐的深亚微米/纳米级III-氮化物等离子体波太赫兹探测器。对III-氮化物材料和晶体管中等离子体波振荡的基本了解和开发,将为太赫兹电子学带来革命性的变化,并促进III-氮化物的介观和纳米物理知识的发展。智能价值:这一目标将通过四个主要任务来实现:(1)发展III-氮化物材料中等离子体波振荡的理论和模型;(2)III-氮化物材料中等离子体波振荡的表征和相应理论和模型的实验数据验证;(3)深亚微米/纳米级III-氮化物等离子体波太赫兹探测器探测理论的发展;(4)深亚微米/纳米级III-氮化物等离子体波太赫兹探测器的设计、制造和测试以及探测理论的验证。更广泛的影响:这项研究将提供新的见解,并促进关于III-氮化物器件物理和材料特性的知识。建议的太赫兹探测器具有广泛的潜在应用,包括60 GHz以上的无线通信、医学成像、癌症诊断、远红外线光谱分析、化学化合物和生物制剂鉴定等。首席调查员将通过以下方式将研究项目与教育活动结合起来:(1)通过每年在南卡罗来纳州博物馆的动手展览接触当地高中、K-8和社区的学生;(2)让本科生、毕业生、女性和少数族裔参与研究计划;(3)改进两门本科课程和两门研究生课程;以及(4)开发一门新的研究生课程。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Asif Khan其他文献
Evaluating the Mediating Mechanism of Perceived Trust and Risk toward Cryptocurrency: An Empirical Research
评估加密货币感知信任与风险的中介机制:实证研究
- DOI:
10.1177/21582440231217854 - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:2
- 作者:
U. Rahardja;Shih;Yu;Tsung;Q. Aini;Asif Khan;Fitra Putri Oganda;Elisa Royani Dewi;Ying;Chung - 通讯作者:
Chung
Bleeding disorders in the tribe: result of consanguineous in breeding
部落的出血性疾病:近亲繁殖的结果
- DOI:
- 发表时间:
2010 - 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:
M. Borhany;Zaen;Zeeshan ul Qadr;M. Rehan;A. Naz;Asif Khan;S. Ansari;T. Farzana;M. Nadeem;S. Raza;T. Shamsi - 通讯作者:
T. Shamsi
A Case Study of Instructional Contributions of Community and Government Secondary School Administrators in Pakistan
巴基斯坦社区和政府中学管理人员的教学贡献案例研究
- DOI:
10.22610/jevr.v4i2.100 - 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Asif Khan - 通讯作者:
Asif Khan
Prevalence of suicidal tendencies among the students at the University of Peshawar, Pakistan
巴基斯坦白沙瓦大学学生自杀倾向的患病率
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Jaudat Tauqeer Qazi;Erum Irshad;Asif Khan;Farhat Ullah - 通讯作者:
Farhat Ullah
Wave function penetration effects on ballistic drain current in double gate MOSFETs fabricated on (1 0 0) and (1 1 0) silicon surfaces
波函数穿透对 (1 0 0) 和 (1 1 0) 硅表面上制造的双栅极 MOSFET 弹道漏极电流的影响
- DOI:
10.1016/j.sse.2008.12.010 - 发表时间:
2009 - 期刊:
- 影响因子:1.7
- 作者:
M. Ashraf;Asif Khan;A. Haque - 通讯作者:
A. Haque
Asif Khan的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Asif Khan', 18)}}的其他基金
MRI: Development of A New High Temperature Source Metalorganic Chemical Vapor Deposition System (HTS-MOCVD) for Next Generation IIIA/B-Nitrides
MRI:开发用于下一代 IIIA/B 氮化物的新型高温源金属有机化学气相沉积系统 (HTS-MOCVD)
- 批准号:
2216107 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Standard Grant
CAREER: Antiferroelectric Negative Capacitance Transistors for Ultra-low Power Computing
职业:用于超低功耗计算的反铁电负电容晶体管
- 批准号:
2047880 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Continuing Grant
Synaptic dynamics in ferroelectric devices and their application to deep neural networks
铁电器件中的突触动力学及其在深度神经网络中的应用
- 批准号:
1810005 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Standard Grant
GOALI: Low dislocation density semi-polar III-nitride substrates for polarization free ultraviolet
目标:用于无偏振紫外的低位错密度半极性III族氮化物衬底
- 批准号:
1128563 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Continuing Grant
Aluminum Gallium Nitride Heterostructures for High Temperature Transistor and Sensor Applications
用于高温晶体管和传感器应用的氮化铝镓异质结构
- 批准号:
9160469 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Standard Grant
Fabrication and Measurement of Galium Arsenide-Based Multiple Quantum Well Structures
砷化镓基多量子阱结构的制备和测量
- 批准号:
8861269 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Standard Grant
Measurement of Electro-Optical Properties of Aluminum-Gallium-Nitride for Integrated Optics Devices (Materials Research)
用于集成光学器件的氮化铝镓电光特性的测量(材料研究)
- 批准号:
8760768 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Standard Grant
相似国自然基金
全钒液流电池负极V(II)/V(III)电化学氧化还原的催化机理研究
- 批准号:2025JJ50094
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
吡咯烷生物碱所致肝窦阻塞综合征III区肝损伤的新机制——局部氨代谢紊乱
- 批准号:JCZRYB202500652
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
硅基III-V族亚微米线激光器的光场模式调控与耦合机理研究
- 批准号:JCZRQN202501004
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
MXene/nZVI@FH材料微域层界面调控水中砷(III)氧化迁移机制
- 批准号:2025JJ50319
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
HOXC8/OPN/CD44/EGFR轴介导的奥沙利铂耐药性在III期右半结肠癌耐药进展中的研究
- 批准号:2025JJ50694
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
AI结合超声原始射频信号评估Bethesda III/IV类甲状腺肿瘤包膜和血管侵犯研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
硫化砷靶向VPS4B-ESCRT-III调控自噬溶酶体通路逆转三阴性乳腺癌顺铂耐药性的研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
ASPGR与MRC2双受体介导铱(III)配合物
脂质体抗肝肿瘤研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
Ap-Exo III 联合模式识别构建降尿酸药
物筛选新方法的研究
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
经关节突截骨矫治III期Kummell病临床有效性分析
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
相似海外基金
Defect characterisation in III-nitrides materials and devices using multimodal micro-spectroscopy
使用多模态显微光谱法表征 III 族氮化物材料和器件的缺陷
- 批准号:
2734720 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Studentship
Development of optically controlled spin gate using group III-nitrides quantum dots
使用III族氮化物量子点开发光控自旋门
- 批准号:
575333-2022 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Alliance Grants
A study of the activation mechanism of implanted impurities and control of point defect in group III nitrides
III族氮化物注入杂质激活机制及点缺陷控制研究
- 批准号:
21H01826 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Monolithic On-chip Integration of Electronics & Photonics Using III-nitrides for Telecoms
单片片上电子集成
- 批准号:
EP/T012692/1 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Research Grant
Infrared Quantum Materials Based on Scandium-Containing III-Nitrides
基于含钪III族氮化物的红外量子材料
- 批准号:
2004462 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Continuing Grant
Monolithic On-chip Integration of Electronics & Photonics Using III-nitrides for Telecoms
单片片上电子集成
- 批准号:
EP/T013001/1 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Research Grant
Monolithic On-chip Integration of Electronics & Photonics Using III-nitrides for Telecoms
单片片上电子集成
- 批准号:
EP/T01265X/1 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Research Grant
Selective area growth of cubic group III-Nitrides on nano-patterned 3C-SiC (001) substrates
纳米图案 3C-SiC (001) 衬底上立方 III 族氮化物的选择性区域生长
- 批准号:
418748882 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Research Grants
A Path Towards III-Nitrides-Based Superjunction Devices
通向 III 族氮化物超结器件的道路
- 批准号:
1610992 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Standard Grant
OP: Terahertz Lasers Using Intersubband Transitions in non-polar III-nitrides
OP:在非极性 III 族氮化物中使用子带间跃迁的太赫兹激光器
- 批准号:
1607173 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 30.09万 - 项目类别:
Standard Grant