Monolithic Integration of Silicon Waveguide and Ge1-xSix Photodetector on Silicon-on Insulator Platform for Intra-chip Optical Interconnect

用于片内光互连的绝缘体上硅平台上硅波导和 Ge1-xSix 光电探测器的单片集成

基本信息

  • 批准号:
    DP0987924
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 24.92万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    澳大利亚
  • 项目类别:
    Discovery Projects
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    澳大利亚
  • 起止时间:
    2009-01-01 至 2012-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Photonics has become the major technology underpinning the communication and storage of data. As photonics advances applications are emerging which demand components be manufactured cheaply in the manner achieved by the electronics industry in the silicon chip. Silicon is now emerging as an important photonic material and devices can benefit from inexpensive processing methods developed for electronics. This project aims to capture key intellectual property for monolithically integrating key photonic components onto a silicon platform. The project can bring social and commercial benefits to Australia such as high-level research and training in nanotechnology as well as opportunities for commercialisation in niche markets.
光子学已经成为支撑数据通信和存储的主要技术。随着光子学的进步,需要以电子工业在硅芯片上实现的方式以低成本制造组件的应用不断涌现。硅现在正在成为一种重要的光子材料,设备可以从为电子开发的廉价加工方法中受益。该项目旨在获取将关键光子组件集成到硅平台上的关键知识产权。该项目可以为澳大利亚带来社会和商业利益,例如纳米技术方面的高水平研究和培训,以及在利基市场进行商业化的机会。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

A/Prof Duk-Yong Choi其他文献

A/Prof Duk-Yong Choi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('A/Prof Duk-Yong Choi', 18)}}的其他基金

A silicon-compatible light source on a silicon-on-insulator platform
绝缘体上硅平台上的硅兼容光源
  • 批准号:
    FT110100853
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    ARC Future Fellowships

相似海外基金

Investigation of Nanoengineered III-V Buffer Layers for Hetero-integration on Silicon
用于硅异质集成的纳米工程 III-V 族缓冲层的研究
  • 批准号:
    552127-2020
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Alliance Grants
CAREER: Scalable quantum photonics based on color center integration with angle-etched silicon carbide devices
职业:基于色心集成与角度蚀刻碳化硅器件的可扩展量子光子学
  • 批准号:
    2047564
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Investigation of Nanoengineered III-V Buffer Layers for Hetero-integration on Silicon
用于硅异质集成的纳米工程 III-V 族缓冲层的研究
  • 批准号:
    552127-2020
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Alliance Grants
Scaleable integration of electronic and Photonic integrated circuits for quantum optics in silicon
用于硅中量子光学的电子和光子集成电路的可扩展集成
  • 批准号:
    2606682
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Studentship
Investigation of Nanoengineered III-V Buffer Layers for Hetero-integration on Silicon
用于硅异质集成的纳米工程 III-V 族缓冲层的研究
  • 批准号:
    552127-2020
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Alliance Grants
Integration of Sb-based III-V materials grown directly onto Silicon by MBE
通过 MBE 直接生长在硅上的 Sb 基 III-V 材料的集成
  • 批准号:
    2586325
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Studentship
Hybrid integration technique on silicon platform and crystal growth on InP/Si bonding substrate
硅平台上的混合集成技术和InP/Si键合衬底上的晶体生长
  • 批准号:
    18H01503
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates
在硅衬底上集成射频电路与高速 GaN 开关
  • 批准号:
    EP/N014820/2
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Research Grant
CAREER: Integration of 2D materials for broadband silicon photonics
职业:宽带硅光子学二维材料的集成
  • 批准号:
    1915018
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Parallel Heterogeneous Integration of III-V Devices on Silicon Photonic Chips
硅光子芯片上 III-V 族器件的并行异构集成
  • 批准号:
    EP/P013597/1
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 24.92万
  • 项目类别:
    Research Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了