Multilayer composite gate dielectrics for fabricating high-performance GaN-MOS devices

用于制造高性能 GaN-MOS 器件的多层复合栅极电介质

基本信息

  • 批准号：
    19K15027
  • 负责人：
    Nozaki Mikito
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Osaka University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ICPエッチングがAlGaN/GaN界面の2DEGに与える影響の評価
ICP刻蚀对AlGaN/GaN界面2DEG影响的评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    野崎 幹人;寺島 大貴;吉越 章隆;細井 卓治;志村 考功;渡部 平司
  • 通讯作者：
    渡部 平司
Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices
用于先进 GaN 基 MOS 器件的栅极堆叠技术
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Watanabe;T. Hosoi;M. Nozaki;H. Mizobata;and T. Shimura
  • 通讯作者：
    and T. Shimura
Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface
AlGaN/GaN 界面处的 2DEG 反应离子刻蚀引起的损伤评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mikio Nozaki;Daiki Terashima;Akitaka Yoshigoe;Takuji Hosoi;Takayoshi Shimura;Heiji Watanabe
  • 通讯作者：
    Heiji Watanabe
Evaluation and mitigation of reactive ion etching-induced damage in AlGaN/GaN MOS structures fabricated by low-power inductively coupled plasma
低功率电感耦合等离子体制造的 AlGaN/GaN MOS 结构中反应离子蚀刻引起的损伤的评估和减轻
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ab8f0e
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    M. Nozaki;D. Terashima;A. Yoshigoe;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe
  • 通讯作者：
    H. Watanabe
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  • 作者：
    Wada Yuhei;Nozaki Mikito;Hosoi Takuji;Shimura Takayoshi;Watanabe Heiji;Shiyoshi Yokoyama;S. Yokoyama
  • 通讯作者：
    S. Yokoyama
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    2.3
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    Watanabe Heiji
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  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Wada Yuhei;Nozaki Mikito;Hosoi Takuji;Shimura Takayoshi;Watanabe Heiji
  • 通讯作者：
    Watanabe Heiji

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