Multilayer composite gate dielectrics for fabricating high-performance GaN-MOS devices
Multilayer composite gate dielectrics for fabricating high-performance GaN-MOS devices
用于制造高性能 GaN-MOS 器件的多层复合栅极电介质
批准号：
19K15027
负责人：
Nozaki Mikito
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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ICPエッチングがAlGaN/GaN界面の2DEGに与える影響の評価
ICP刻蚀对AlGaN/GaN界面2DEG影响的评估
ICP刻蚀对AlGaN/GaN界面2DEG影响的评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[野崎 幹人, 寺島 大貴, 吉越 章隆, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司]
通讯作者：
渡部 平司
Gate Stack Technology for Advanced GaN-based MOS Devices
用于先进 GaN 基 MOS 器件的栅极堆叠技术
用于先进 GaN 基 MOS 器件的栅极堆叠技术
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Watanabe, T. Hosoi, M. Nozaki, H. Mizobata, and T. Shimura]
通讯作者：
and T. Shimura
Evaluation and mitigation of reactive ion etching-induced damage in AlGaN/GaN MOS structures fabricated by low-power inductively coupled plasma
低功率电感耦合等离子体制造的 AlGaN/GaN MOS 结构中反应离子蚀刻引起的损伤的评估和减轻
低功率电感耦合等离子体制造的 AlGaN/GaN MOS 结构中反应离子蚀刻引起的损伤的评估和减轻
DOI：
10.35848/1347-4065/ab8f0e
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[M. Nozaki, D. Terashima, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe]
通讯作者：
H. Watanabe
Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface
AlGaN/GaN 界面处的 2DEG 反应离子刻蚀引起的损伤评估
AlGaN/GaN 界面处的 2DEG 反应离子刻蚀引起的损伤评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mikio Nozaki, Daiki Terashima, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe]
通讯作者：
Heiji Watanabe
国内基金
海外基金
基于高k复合栅介质增强的不同晶向β-Ga2O3 MOS界面调控机理研究
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批准号：--
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：30万元
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批准年份：2022
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负责人：贾一凡
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依托单位：
基于热氧化“Si/AlN叠层”的SiC MOS界面态抑制方法研究
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批准号：52107190
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项目类别：青年科学基金项目（C类）
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资助金额：30.0万元
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批准年份：2021
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负责人：王雨薇
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依托单位：