4T LT poly-Si TFT with NC technology on glass substrate for low-cost IoT devices
4T LT poly-Si TFT with NC technology on glass substrate for low-cost IoT devices
玻璃基板上采用 NC 技术的 4T LT 多晶硅 TFT，适用于低成本物联网设备
批准号：
19K04534
负责人：
HARA Akito
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric
具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT
具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT
DOI：
10.23919/am-fpd.2019.8830606
发表时间：
2019
期刊：
2019 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)
影响因子：
--
作者：
[Hara Akito, Suzuki Hitoshi, Utsumi Hiroki, Miyazaki Ryo, Kitahara Kuninori, Ryo Miyazaki and Akito Hara]
通讯作者：
Ryo Miyazaki and Akito Hara
高誘電率ゲート絶縁膜を利用した4端子低温poly-Si薄膜トランジスタ の開発とセンサへの応用
采用高介电常数栅极绝缘膜的四端低温多晶硅薄膜晶体管的开发及其在传感器中的应用
采用高介电常数栅极绝缘膜的四端低温多晶硅薄膜晶体管的开发及其在传感器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木択実, 小林達也, 原明人]
通讯作者：
原明人
ガラス基板上の 4 端子 poly-Si TFT の高性能化と光センサへの応用
玻璃基板上4端多晶硅TFT的高性能及其在光学传感器中的应用
玻璃基板上4端多晶硅TFT的高性能及其在光学传感器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木村純樹, 工藤健太, 早坂奏音, 原明人]
通讯作者：
原明人
Cuナノ粒子を含有するGe薄膜におけるナノスケール液滴による結晶化
含有 Cu 纳米颗粒的 Ge 薄膜中纳米级液滴的结晶
含有 Cu 纳米颗粒的 Ge 薄膜中纳米级液滴的结晶
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原 明人, 鈴木仁志, 北原邦紀]
通讯作者：
北原邦紀
拡張ゲートpHセンサに向けたガラス基板上の4端子低温poly-Si TFT
玻璃基板上的 4 端子低温多晶硅 TFT，用于扩展栅极 pH 传感器
玻璃基板上的 4 端子低温多晶硅 TFT，用于扩展栅极 pH 传感器
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木拓実，西口尚希, 原明人, 佐藤旦，田部井哲夫]
通讯作者：
佐藤旦，田部井哲夫
共 18 条
Self-Aligned Embedded Metal Double-Gate Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Fabricated at Low Temperature on Glass Substrate
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批准号：22560341
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2010
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负责人：HARA Akito
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依托单位：
Monolithic 3D lntegration of Multlgate Poly-Si TFTs on a Flexible Glass Substrate
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批准号：19360165
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.31万
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财政年份：2007
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负责人：HARA Akito
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依托单位：
海外基金