4T LT poly-Si TFT with NC technology on glass substrate for low-cost IoT devices

玻璃基板上采用 NC 技术的 4T LT 多晶硅 TFT，适用于低成本物联网设备

基本信息

  • 批准号：
    19K04534
  • 负责人：
    HARA Akito
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Tohoku Gakuin University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（19）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Four-terminal Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT with a High-k Bottom-gate Dielectric
具有高 k 底栅电介质的四端子 Cu-MIC Poly-Ge1?xSnx TFT
高誘電率ゲート絶縁膜を利用した4端子低温poly-Si薄膜トランジスタ の開発とセンサへの応用
采用高介电常数栅极绝缘膜的四端低温多晶硅薄膜晶体管的开发及其在传感器中的应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    鈴木択実;小林達也;原明人
  • 通讯作者：
    原明人
ガラス基板上の 4 端子 poly-Si TFT の高性能化と光センサへの応用
玻璃基板上4端多晶硅TFT的高性能及其在光学传感器中的应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    木村純樹;工藤健太;早坂奏音;原明人
  • 通讯作者：
    原明人
Cuナノ粒子を含有するGe薄膜におけるナノスケール液滴による結晶化
含有 Cu 纳米颗粒的 Ge 薄膜中纳米级液滴的结晶
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    原 明人;鈴木仁志;北原邦紀
  • 通讯作者：
    北原邦紀
拡張ゲートpHセンサに向けたガラス基板上の4端子低温poly-Si TFT
玻璃基板上的 4 端子低温多晶硅 TFT，用于扩展栅极 pH 传感器
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    鈴木拓実，西口尚希;原明人;佐藤旦，田部井哲夫
  • 通讯作者：
    佐藤旦，田部井哲夫
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