Wachstum und Überwachsen von InAs-Quantenpunkten

InAs 量子点的生长和过度生长

• 批准号: 35019820
• 负责人: Professor Dr. Mario Dähne
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/35019820?language=en
• 关键词: Wachstum; und; berwachsen; von; InAs

InAs-Quantenpunkte wachsen aufgrund einer Gitterfehlanpassung selbstorganisiert auf der GaAs(001)-Oberfläche und sind sowohl von grundlegendem als auch technologischem Interesse. Während ihre atomare Struktur und elektronischen Eigenschaften schon intensiv erforscht sind, sind die Elementarschritte der Quantenpunktbildung – beginnend mit der zweidimensionalen Benetzungsschicht – noch weitgehend unverstanden. Nachdem wir in der ersten Förderungsphase erstmalig die Wachstumsschritte der Benetzungsschicht bis hin zur Quantenpunktbildung mit Rastertunnelmikroskopie (STM) beobachten konnten, sind noch eine detaillierte strukturelle Analyse der sich dabei bildenden InGaAs-Schichten sowie eine Untersuchung der Vorgänge bei der Quanten-punktbildung erforderlich. Hierbei soll insbesondere die atomare Struktur der sich zunächst formenden Indiumanlagerungen, der daraufhin entstehenden (4x3)-rekonstruierten In2/3Ga1/3 As-Monolage sowie der sich darauf bildenden (2x4)-rekonstruierten Lage bestimmt werden. Von besonderem Interesse ist schließlich der Bereich der kritischen Schichtdicke der Quantenpunktbildung und die Rolle der (2x4)-rekonstruierten Lage, um die Elementarschritte beim Übergang von zwei- zum dreidimensionalen Wachstum zu verstehen.

在As-量子点中，GaAs（001）-Oberfläche上的自组织晶体管是一种很好的选择，也是一种技术上的兴趣。如果您认为原子结构和电子本征值是密集的研究，那么就应该是量子点教育的元素schritte--从二维Benetzungsschicht开始--这还不令人信服。在第一次实验中，我们首先利用光栅隧道显微镜（STM）对量子点的发光特性进行了分析，然后对这种发光特性的结构进行了详细的分析，并对量子点发光特性进行了研究。因此，必须将这种原子结构用于形成印第安人的原子层，这种原子结构的（4 × 3）--由In 2/3Ga 1/3 As-单原子层组成，这种原子结构的（2 × 4）--由拉格-单原子层组成，这种结构的韦尔登最好。在此基础上，兴趣是量子点教育的批判性思维的基础，是（2 × 4）-结构拉格的作用，是对二维三维Wachstum的理解。