Räumliche und elektronische Struktur von Siliziddrähten auf Si(001)

Das Vorhaben Befaüt Sich MIT der räumlichen Strukur and den Electrktronischen Eigenschaften von EinDimsionalen Silizidstrukturen auf der Si(001)-Oberfläche.大足是RasterTunelmikroskopie和-Spektroskopie eingesetzt。在此基础上，我们将从以下几个方面着手：将原子分解为De Schichtdicke、Gitterfehlanpassung、Substrattematur、Die Eigtronischen Eigenschaften and Drähte Sowie auf Quanteneffekte，Wie z.B.stehende Elektronenwell en。

Das Vorhaben befaßt sich mit der räumlichen Struktur und den elektronischen Eigenschaften von eindimensionalen Silizidstrukturen auf der Si(001)-Oberfläche. Dazu werden Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie eingesetzt. Die Untersuchungen konzentrieren sich auf: die atomare Struktur der Drähte, den Einfluß der Wachstumsparameter wie Schichtdicke, Gitterfehlanpassung, Substrattemperatur, Temperbedingungen und Substratfehlorientierung, die elektronischen Eigenschaften der Drähte sowie auf Quanteneffekte, wie z.B. stehende Elektronenwellen.