Räumliche und elektronische Struktur von Siliziddrähten auf Si(001)

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Das Vorhaben befaßt sich mit der räumlichen Struktur und den elektronischen Eigenschaften von eindimensionalen Silizidstrukturen auf der Si(001)-Oberfläche. Dazu werden Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie eingesetzt. Die Untersuchungen konzentrieren sich auf: die atomare Struktur der Drähte, den Einfluß der Wachstumsparameter wie Schichtdicke, Gitterfehlanpassung, Substrattemperatur, Temperbedingungen und Substratfehlorientierung, die elektronischen Eigenschaften der Drähte sowie auf Quanteneffekte, wie z.B. stehende Elektronenwellen.