Räumliche und elektronische Struktur von Siliziddrähten auf Si(001)

Si(001)上硅化物线的空间和电子结构

• 批准号: 5160506
• 负责人: Professor Dr. Mario Dähne
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5160506?language=en
• 关键词: umliche; und; elektronische; Struktur; von

Das Vorhaben befaßt sich mit der räumlichen Struktur und den elektronischen Eigenschaften von eindimensionalen Silizidstrukturen auf der Si(001)-Oberfläche. Dazu werden Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie eingesetzt. Die Untersuchungen konzentrieren sich auf: die atomare Struktur der Drähte, den Einfluß der Wachstumsparameter wie Schichtdicke, Gitterfehlanpassung, Substrattemperatur, Temperbedingungen und Substratfehlorientierung, die elektronischen Eigenschaften der Drähte sowie auf Quanteneffekte, wie z.B. stehende Elektronenwellen.

Das Vorhaben befaßt sich mit der räumlichen Struktur und den elektronischen Eigenschaften von eindimensionalen Silizidstrukturen auf der Si（001）-Oberfläche.大足韦尔登光栅隧道显微镜和光谱显微镜。研究内容包括：薄膜的原子结构，薄膜的热传导、衬底的温度、回火和衬底的取向等对工作参数的影响，薄膜的电学特性，以及薄膜的量子效应。stehende Elektronenwellen.