Thin III-V semiconductor layers on GaAs (001) vicinal surfaces

GaAs (001) 邻近表面上的薄 III-V 半导体层

• 批准号: 5401941
• 负责人: Professor Dr. Mario Dähne
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5401941?language=en
• 关键词: Thin; III; semiconductor; layers; GaAs

Das Projekt befasst sich mit epitaktischen Halbleiterschichten auf GaAs(001)-Vizinalflächen, also auf Oberflächen mit einer hohen Stufendichte. Bei solchen Schichten sind - im Vergleich zum Wachstum auf dem planaren Substrat - veränderte elektronische und optische Eigenschaften beobachtet worden. Über die detaillierte Struktur solcher Schichtsysteme auf atomarer Skala ist jedoch bislang wenig bekannt. Besonders geeignet für solche Untersuchungen ist die Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen. In diesem Projekt soll XSTM eingesetzt werden, um die atomare Struktur und die lokalen elektronischen Eigenschaften von heteroepitaktisch gewachsenen Schichten und ihren Grenzflächen zu untersuchen. Im Vordergrund stehen Fragen der Homogenität und der lokalen Stöchiometrie der Schichten, der lateralen und vertikalen Segregation sowie der Facettierung der Grenzflächen. Hierbei ist der Einfluss der Substratfehlorientierung von besonderem Interesse.

该项目首先采用GaAs（001）-Vizinalflächen上的半导体外延技术，然后采用一种更高的Stufenitte上的半导体外延技术。Bei solchen Schichten sind - im Vergleich zum Wachstum auf dem planaren Substrat - veränderte elektronische und optische Eigenschaften beobachtet沃登.在原子结构上的结构体系的细节是可以理解的。Besonders geeignet für solche Untersuchungen ist die Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen.在这个项目中，XSTM的一个韦尔登，原子结构和局部电子特性是异质外延的，它可以使薄膜和晶体生长。Im Vordergrund stehen Fragen der Homogenität und der lokalen Stöchiometrie der Schichten，der lateralen und vertikalen Segregation sowie der Facettierung der Grenzflächen.这是利益主体定位的一个影响因素。