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Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors

Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors
使用半导体中掺杂的稀土离子开发用于下一代太阳能电池的高效波长转换材料
批准号：
16K14233
负责人：
FUJIWARA Yasufumi
金额：
$2.33万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14233/
关键词：
希土類添加半導体太陽電池波長変換

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Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted MOCVD
溅射辅助 MOCVD 生长的 Tm、Yb 共掺杂 ZnO 中 Tm3 和 Yb3 离子之间的可控能量转移
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Kamei, S. Takano, G. Yoshii, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara]
通讯作者： and Y. Fujiwara
University of Amsterdam(オランダ)
阿姆斯特丹大学（荷兰）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition
溅射辅助金属有机化学气相沉积生长的 Tm、Yb 共掺杂 ZnO 中 Tm3 和 Yb3 离子之间的可控能量转移
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Kamei, S. Takano, G. Yoshii, T. Kojima, and Y. Fujiwara]
通讯作者： and Y. Fujiwara
大阪大学大学院工学研究科藤原研究室
大阪大学大学院工学研究科藤原实验室
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Development of quantum informative function using rare-earth ions doped well-controllably in semiconductors
  • 批准号：
    26630131
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.41万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    FUJIWARA Yasufumi
  • 依托单位：
    Osaka University
Development of bright red light-emitting devices by elucidation and control of light-emitting mechanism in rare-earth-doped nitride semiconductors
  • 批准号：
    24226009
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 资助金额：
    $136.12万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    FUJIWARA Yasufumi
  • 依托单位：
    Osaka University
Development of terahertz emitters and detectors using rare-earth-doped semiconductors
  • 批准号：
    23656220
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.58万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    FUJIWARA Yasufumi
  • 依托单位：
    Osaka University
Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors
  • 批准号：
    20900123
  • 项目类别：
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    FUJIWARA Yasufumi
  • 依托单位：
    Osaka University
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