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Development of bright red light-emitting devices by elucidation and control of light-emitting mechanism in rare-earth-doped nitride semiconductors
通过阐明和控制稀土掺杂氮化物半导体的发光机制开发亮红色发光器件
基本信息
- 批准号：24226009
- 负责人：
- 金额：$ 136.12万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-05-31 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Trapping of injection charges in emission centers of GaN:Eu red LED characterized with 1/f noise involved in forward current
- DOI：10.7567/jjap.55.015801
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：M. Ishii;A. Koizumi;Y. Fujiwara
- 通讯作者：M. Ishii;A. Koizumi;Y. Fujiwara
Detection of In segregation in InGaN by using Eu as a probe
使用 Eu 作为探针检测 InGaN 中的 In 偏析
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2016.12.101
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：J. Takatsu;B. Mitchell;A. Koizumi;S. Yamanaka;M. Matsuda;T. Gregorkiewicz;T. Kojima;and Y. Fujiwara
- 通讯作者：and Y. Fujiwara
Local-structure dependent energy transfer from the host to Eu ions in Eu-doped GaN
Eu 掺杂 GaN 中从主体到 Eu 离子的局域结构相关能量转移
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Fujiwara;R. Wakamatsu;D. Lee;V. Dierolf;and A. Koizumi
- 通讯作者：and A. Koizumi
Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials
半导体材料的稀土和过渡金属掺杂
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：V. Dierolf;I.T. Ferguson;J.M. Zavada
- 通讯作者：J.M. Zavada
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FUJIWARA Yasufumi其他文献
GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion
通过表面激活键合形成垂直极性反转的GaN通道波导，用于波长转换
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10.35848/1347-4065/ac57ab - 发表时间：
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- 作者：
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Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy
有机金属气相外延生长 GaN:Eu/GaN 核壳纳米线的形成及光学特性
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Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors
使用半导体中掺杂的稀土离子开发用于下一代太阳能电池的高效波长转换材料
- 批准号：
16K14233 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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利用半导体中可控掺杂的稀土离子开发量子信息功能
- 批准号：
26630131 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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- 批准号：
23656220 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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- 批准号：
20900123 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Development of Properties and Functionalities by Precise Control of Rare-Earth Doping
通过精确控制稀土掺杂来开发性能和功能
- 批准号：
19GS1209 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Creative Scientific Research
Investigation for improved performance of new-type extremely-stable-wavelength light-emitting devices based on rare-earth-doped III-V semiconductors
基于稀土掺杂III-V族半导体的新型超稳波长发光器件性能改进研究
- 批准号：
15360164 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Materials for new semiconductor lasers; atomically-controlled, growth of rare-earth-doped III-V semiconductors with high quality
新型半导体激光器材料；
- 批准号：
13555002 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Atomically-controlled growth and properties of low-dimensional lanthanoide/semiconductor quantum structures
低维镧系元素/半导体量子结构的原子控制生长和特性
- 批准号：
11450119 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ATOMIC-LAYER CONTROLLED SUPER-HETEROEPITAXY AND PROPERTIES OF LANTHANOIDE/SEMICONDUCTOR STRUCTURES
原子层控制超异质外延及镧系元素/半导体结构的性能
- 批准号：
08650009 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
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- 批准号：QN25F040011
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- 批准号：ZYQ25A020001
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
相似海外基金
High-performance thin film porous pyroelectric materials and composites for thermal sensing and harvesting
用于热传感和收集的高性能薄膜多孔热释电材料和复合材料
- 批准号：
EP/Y017412/1 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Fellowship
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
スマートウィンドウを目指したガラス基板上へのc-軸配向スピノーダル分解薄膜の作製
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- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
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常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
- 批准号：
23K23119 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
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前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
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- 资助金额：
$ 136.12万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
遷移金属ケイ化物キラル薄膜によるスピン偏極エレクトロニクスの創成
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エピタキシャルフッ化物薄膜電池のモデル界面を活用したフッ素の輸送機構解明
利用外延氟化物薄膜电池模型界面阐明氟传输机制
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時間分解光電子分光によるp-type有機半導体薄膜の正孔ダイナミクス観測
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SnSの欠陥化学の探究と薄膜トランジスタへの展開
SnS缺陷化学探索及其在薄膜晶体管中的应用
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強誘電体基板上に成膜した強磁性薄膜における磁気特性の評価とその発現機構の解明
铁电基板上沉积的铁磁薄膜的磁性能评估及其表现机制的阐明
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