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Development of bright red light-emitting devices by elucidation and control of light-emitting mechanism in rare-earth-doped nitride semiconductors

Development of bright red light-emitting devices by elucidation and control of light-emitting mechanism in rare-earth-doped nitride semiconductors
通过阐明和控制稀土掺杂氮化物半导体的发光机制开发亮红色发光器件
批准号：
24226009
负责人：
FUJIWARA Yasufumi
金额：
$136.12万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-05-31 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24226009/
关键词：
電気・電子材料薄膜希土類元素発光機能制御発光ダイオードエネルギー伝達機構局所構造オプトロニクスエネルギー輸送機構

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Trapping of injection charges in emission centers of GaN:Eu red LED characterized with 1/f noise involved in forward current
DOI： 10.7567/jjap.55.015801
发表时间： 2015
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [M. Ishii;A. Koizumi;Y. Fujiwara]
通讯作者： M. Ishii;A. Koizumi;Y. Fujiwara
Detection of In segregation in InGaN by using Eu as a probe
使用 Eu 作为探针检测 InGaN 中的 In 偏析
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.101
发表时间： 2017
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [J. Takatsu, B. Mitchell, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Gregorkiewicz, T. Kojima, and Y. Fujiwara]
通讯作者： and Y. Fujiwara
Local-structure dependent energy transfer from the host to Eu ions in Eu-doped GaN
Eu 掺杂 GaN 中从主体到 Eu 离子的局域结构相关能量转移
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Lee, V. Dierolf, and A. Koizumi]
通讯作者： and A. Koizumi
Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials
半导体材料的稀土和过渡金属掺杂
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [V. Dierolf, I.T. Ferguson, J.M. Zavada]
通讯作者： J.M. Zavada
共 77 条
    Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors
    • 批准号：
      16K14233
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of quantum informative function using rare-earth ions doped well-controllably in semiconductors
    • 批准号：
      26630131
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of terahertz emitters and detectors using rare-earth-doped semiconductors
    • 批准号：
      23656220
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors
    • 批准号：
      20900123
    • 项目类别：
    • 资助金额：
      $0.0万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    国内基金
    海外基金
    CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
    • 批准号：
      2026JJ50456
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      谭彦妮
    • 依托单位：
      中南大学
    高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      王晓丽
    • 依托单位：
      江苏海洋大学
    汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      林改
    • 依托单位：
      江苏城乡建设职业学院
    基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
    • 批准号：
      JCZRMS202600414
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
    • 依托单位：
      中国地质大学（武汉）