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Development of quantum informative function using rare-earth ions doped well-controllably in semiconductors

Development of quantum informative function using rare-earth ions doped well-controllably in semiconductors
利用半导体中可控掺杂的稀土离子开发量子信息功能
批准号：
26630131
负责人：
FUJIWARA Yasufumi
金额：
$2.41万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630131/
关键词：
希土類添加半導体量子情報機能エピタキシャル

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Energy migration between Eu luminescent sites in Eu-doped GaN
Eu掺杂GaN中Eu发光位点之间的能量迁移
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Timmerman, and A. Koizumi]
通讯作者： and A. Koizumi
Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN
Eu 发光位点之间的共振能量转移及其在 GaN 中的局部几何形状
DOI： 10.1063/1.4933301
发表时间： 2015
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [D. Timmerman, R. Wakamatsu, K. Tanaka, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara]
通讯作者： and Y. Fujiwara
Energy transfer processes in Eu-doped GaN
Eu 掺杂 GaN 中的能量转移过程
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [藤原康文, Dolf Timmerman, 児島貴徳, 小泉淳, D. Timmerman and Y. Fujiwara]
通讯作者： D. Timmerman and Y. Fujiwara
藤原研究室紹介動画
藤原实验室介绍视频
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 8 条
    Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors
    • 批准号：
      16K14233
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of bright red light-emitting devices by elucidation and control of light-emitting mechanism in rare-earth-doped nitride semiconductors
    • 批准号：
      24226009
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $136.12万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of terahertz emitters and detectors using rare-earth-doped semiconductors
    • 批准号：
      23656220
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors
    • 批准号：
      20900123
    • 项目类别：
    • 资助金额：
      $0.0万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University