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Development of Properties and Functionalities by Precise Control of Rare-Earth Doping

Development of Properties and Functionalities by Precise Control of Rare-Earth Doping
通过精确控制稀土掺杂来开发性能和功能
批准号：
19GS1209
负责人：
FUJIWARA Yasufumi
金额：
$336.96万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Creative Scientific Research
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19GS1209/
关键词：
希土類元素オプトロニクススピントロニクススピンエレクトロニクス半導体物性先端機能デバイス

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项目成果

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We have doped rare-earth(RE) elements to III-V semiconductors using atomically-controlled crystal-growth techniques and investigated luminescent and magnetic properties due to RE ions. Ultrafast energy transfer from the host to RE ions was revealed in the materials. The first demonstration of red emission was succeeded in a nitride-based light-emitting diode with Eu-doped GaN. The room-temperature ferromagnetism was proved to be induced by carriers. The feasibility to develop new opto-magnetic devices was also confirmed.
期刊论文(120)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Luminescence Properties of Eu-implanted GaN-based Semiconductors
Eu 注入 GaN 基半导体的发光特性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Journal of Physics : Conference Series 165
影响因子： --
作者： [寺井慶和, Y Ota, H.Kasai]
通讯作者： H.Kasai
Organometallic vapor phase epitaxy of Er, O-codoped GaAs using trisdipivaloylmethanatoerbium
使用三二新戊酰甲烷铒进行 Er、O 共掺杂 GaAs 的有机金属气相外延
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Journal of Physics: Conference Series 106
影响因子： --
作者： [Y. K. Zhou, S. W. Choi, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi, SHIMADA K., TERAI Y., FUJITA A., TERAI Y.]
通讯作者： TERAI Y.
Room-temperature operation of red light-emitting diodes with europium-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy
有机金属气相外延生长掺铕氮化镓红色发光二极管的室温工作
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai, Y.Fujiwara, 藤原康文]
通讯作者： 藤原康文
Optical and magnetic properties in epitaxial GdN thin film
外延 GdN 薄膜的光学和磁学特性
DOI： 10.1103/physrevb.83.155202
发表时间： 2011
期刊： Physical Reviews B
影响因子： --
作者： [H. Yoshitomi, S. Kitayama, T. Kita, O. Wada, M. Fujisawa, H. Ohta, and T. Sakurai]
通讯作者： and T. Sakurai
共 84 条
    Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors
    • 批准号：
      16K14233
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of quantum informative function using rare-earth ions doped well-controllably in semiconductors
    • 批准号：
      26630131
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of bright red light-emitting devices by elucidation and control of light-emitting mechanism in rare-earth-doped nitride semiconductors
    • 批准号：
      24226009
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $136.12万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of terahertz emitters and detectors using rare-earth-doped semiconductors
    • 批准号：
      23656220
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金