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Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors

Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors
通过控制稀土掺杂半导体中的原子构型开发先进的发光功能
批准号：
20900123
负责人：
FUJIWARA Yasufumi
金额：
$0.0万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20900123/
关键词：
秩序制御高次発光機能発光ダイナミクス局所構造希土類元素

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Luminescence properties in Er, O-codoped GaAs light-emitting deviceswith double excitation mechanism
双激发机制Er、O共掺杂GaAs发光器件的发光特性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Research Society Symposium Proceedings (印刷中)
影响因子： --
作者： [安井遼, 鈴木雄斗, 松岡成居 熊田亜紀子, 日高邦彦, Y. OTA, Y. TERM, Y. FUJIWARA]
通讯作者： Y. FUJIWARA
Terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface grown by organometallic vapour phase epitaxy
有机金属气相外延生长的 Er,O 共掺杂 GaAs 表面的太赫兹辐射
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Applied Physics Letters (印刷中)
影响因子： --
作者： [安井遼, 鈴木雄斗, 松岡成居 熊田亜紀子, 日高邦彦, Y. OTA, Y. TERM, Y. FUJIWARA, Y. FUJIWARA, K. YAMAOKA, K. SHIMADA, Y. TERM, K. FUJII, K. SHIMADA, A. FUJITA, Y. TERM, 藤原康文, Y. FUJIWARA, Y. TERAI, Y. TERAI, K. SHIMADA, A. FUJITA, K. FUJII, K. SHIMADA]
通讯作者： K. SHIMADA
Electroluminescence properties of GalnP/GaAs : Er, O/GaInP doubleheterostructure light-emitting diodes at low temperature
GalnP/GaAs：Er、O/GaInP双异质结构发光二极管的低温电致发光特性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Optical Materials (印刷中)
影响因子： --
作者： [安井遼, 鈴木雄斗, 松岡成居 熊田亜紀子, 日高邦彦, Y. OTA, Y. TERM]
通讯作者： Y. TERM
Quantum properties revealed by precise control of atomic configurationin rare-earth doped semiconductors
通过精确控制稀土掺杂半导体中的原子构型揭示量子特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [鬼頭稔, 渡邊純兵, 竹下隆晴, 西田保幸, Y. FUJIWARA, Takaharu Takeshita, K. SHIMADA, A. FUJITA, Y. TERM, K. FUJII, Y. FUJIWARA, Y. FUJIWARA]
通讯作者： Y. FUJIWARA
共 16 条
    Development of highly efficient wavelength-conversion materials for next-generation solar cells using rare-earth ions doped in semiconductors
    • 批准号：
      16K14233
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of quantum informative function using rare-earth ions doped well-controllably in semiconductors
    • 批准号：
      26630131
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of bright red light-emitting devices by elucidation and control of light-emitting mechanism in rare-earth-doped nitride semiconductors
    • 批准号：
      24226009
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $136.12万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of terahertz emitters and detectors using rare-earth-doped semiconductors
    • 批准号：
      23656220
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      FUJIWARA Yasufumi
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金