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Development of advanced luminescent functionality by control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors
通过控制稀土掺杂半导体中的原子构型开发先进的发光功能
基本信息
- 批准号：20900123
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Luminescence properties in Er, O-codoped GaAs light-emitting deviceswith double excitation mechanism
双激发机制Er、O共掺杂GaAs发光器件的发光特性
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM;Y. FUJIWARA
- 通讯作者：Y. FUJIWARA
Terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface grown by organometallic vapour phase epitaxy
有机金属气相外延生长的 Er,O 共掺杂 GaAs 表面的太赫兹辐射
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM;Y. FUJIWARA;Y. FUJIWARA;K. YAMAOKA;K. SHIMADA;Y. TERM;K. FUJII;K. SHIMADA;A. FUJITA;Y. TERM;藤原康文;Y. FUJIWARA;Y. TERAI;Y. TERAI;K. SHIMADA;A. FUJITA;K. FUJII;K. SHIMADA
- 通讯作者：K. SHIMADA
Electroluminescence properties of GalnP/GaAs : Er, O/GaInP doubleheterostructure light-emitting diodes at low temperature
GalnP/GaAs：Er、O/GaInP双异质结构发光二极管的低温电致发光特性
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA;Y. TERM
- 通讯作者：Y. TERM
Quantum properties revealed by precise control of atomic configurationin rare-earth doped semiconductors
通过精确控制稀土掺杂半导体中的原子构型揭示量子特性
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鬼頭稔;渡邊純兵;竹下隆晴;西田保幸;Y. FUJIWARA;Takaharu Takeshita;K. SHIMADA;A. FUJITA;Y. TERM;K. FUJII;Y. FUJIWARA;Y. FUJIWARA
- 通讯作者：Y. FUJIWARA
Organometallic vapor phase epitaxy of Er, O-codoped GaAs using trisdipivaloylmethanatoerbium
使用三二新戊酰甲烷铒进行 Er、O 共掺杂 GaAs 的有机金属气相外延
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. K. Zhou;S. W. Choi;S. Emura;S. Hasegawa;H. Asahi;SHIMADA K.;TERAI Y.;FUJITA A.;TERAI Y.
- 通讯作者：TERAI Y.
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23656220 - 财政年份：2011
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