Improvement of Thermoelectric Properties in Mg2Si by Strain State Control

通过应变状态控制改善 Mg2Si 的热电性能

• 批准号: 26630304
• 负责人: FUNAKUBO Hiroshi
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630304/
• 关键词: Mg2Si; 熱電測定; 格子歪; 熱電特性

项目成果

Epitaxial Growth and Photoluminescence Properties of β-FeSi2 Grains Using Liquid Phase Obtained by Au-Si Eutectic Reaction

Au-Si共晶反应液相β-FeSi2晶粒的外延生长及其光致发光性能

• DOI: 10.1117/12.2212057
• 发表时间: 2016
• 期刊: Proceedings of International Society for Optics and Photonics
• 作者: Mutsuo Uehara;Kensuke Akiyama;Takao Shimizu;Masaaki Matsushima;Hiroshi Uchida;Yoshisato Kimura;and Hiroshi Funakubo;Kensuke Akiyama and Hiroshi Funakubo
• 通讯作者: Kensuke Akiyama and Hiroshi Funakubo

スパッタリング法によるCa-Si膜の作製と熱電特性評価

溅射法制备Ca-Si薄膜及热电性能评价

• 发表时间: 2015
• 作者: 上原睦雄;新井洋喜;小川正太;秋山賢輔;松島正明;内田寛;木村好里;舟窪浩
• 通讯作者: 舟窪浩

シリサイド系半導体の科学と技術（前田佳均 編著）

硅化物半导体科学与技术（前田义俊主编）

• 发表时间: 2014
• 作者: 齋藤彰太;多田翔太朗;名打圭佑;大幸裕介;本多沢雄;岩本雄二;秋山賢輔，末益 崇,舟窪 浩（他12名共著）
• 通讯作者: 秋山賢輔，末益 崇,舟窪 浩（他12名共著）

Electrical Properties of (110)-Oriented Nondoped Mg2Si Films with p-Type Conduction Prepared by RF Magnetron Sputtering Method

• DOI: 10.1007/s11664-014-3040-6
• 发表时间: 2014-02
• 期刊: Journal of Electronic Materials
• 影响因子: 2.1
• 作者: Shota Ogawa;Atsuo Katagiri;Takao Shimizu;M. Matsushima;K. Akiyama;Y. Kimura;H. Uchida;H. Funakubo

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