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Improvement of Thermoelectric Properties in Mg2Si by Strain State Control

Improvement of Thermoelectric Properties in Mg2Si by Strain State Control
通过应变状态控制改善 Mg2Si 的热电性能
批准号：
26630304
负责人：
FUNAKUBO Hiroshi
金额：
$2.5万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26630304/
关键词：
Mg2Si熱電測定格子歪熱電特性

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Epitaxial Growth and Photoluminescence Properties of β-FeSi2 Grains Using Liquid Phase Obtained by Au-Si Eutectic Reaction
Au-Si共晶反应液相β-FeSi2晶粒的外延生长及其光致发光性能
DOI： 10.1117/12.2212057
发表时间： 2016
期刊： Proceedings of International Society for Optics and Photonics
影响因子： --
作者： [Mutsuo Uehara, Kensuke Akiyama, Takao Shimizu, Masaaki Matsushima, Hiroshi Uchida, Yoshisato Kimura, and Hiroshi Funakubo, Kensuke Akiyama and Hiroshi Funakubo]
通讯作者： Kensuke Akiyama and Hiroshi Funakubo
スパッタリング法によるCa-Si膜の作製と熱電特性評価
溅射法制备Ca-Si薄膜及热电性能评价
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [上原睦雄, 新井洋喜, 小川正太, 秋山賢輔, 松島正明, 内田寛, 木村好里, 舟窪浩]
通讯作者： 舟窪浩
シリサイド系半導体の科学と技術（前田佳均 編著）
硅化物半导体科学与技术（前田义俊主编）
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [齋藤彰太, 多田翔太朗, 名打圭佑, 大幸裕介, 本多沢雄, 岩本雄二, 秋山賢輔，末益 崇,舟窪 浩（他12名共著）]
通讯作者： 秋山賢輔，末益 崇,舟窪 浩（他12名共著）
Electrical Properties of (110)-Oriented Nondoped Mg2Si Films with p-Type Conduction Prepared by RF Magnetron Sputtering Method
DOI： 10.1007/s11664-014-3040-6
发表时间： 2014-02
期刊： Journal of Electronic Materials
影响因子： 2.1
作者： [Shota Ogawa;Atsuo Katagiri;Takao Shimizu;M. Matsushima;K. Akiyama;Y. Kimura;H. Uchida;H. Funakubo]
通讯作者： Shota Ogawa;Atsuo Katagiri;Takao Shimizu;M. Matsushima;K. Akiyama;Y. Kimura;H. Uchida;H. Funakubo
共 23 条
    Investigation of ferroelectric character in Wurtzite ferroelectrics using epitaxial films
    • 批准号：
      18H01701
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Discovery of large electro caloric effect using HfO2-based ferroelectric ultra thin films
    • 批准号：
      16K14380
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Establishment of piezoelectric films with large piezoelectric response using reversible clamp effect from the substrates
    • 批准号：
      15H04121
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Development of Novel Lead and Alkaline elements-free Piezoelectric Materials Using Tetragonal Bismuth Perovskite Oxide
    • 批准号：
      24360271
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.07万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology