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Development of Environmental-friendly Bi_4Ti_3O_<12>-based Ferroelectric Thin Film

Development of Environmental-friendly Bi_4Ti_3O_<12>-based Ferroelectric Thin Film
环保型Bi_4Ti_3O_<12>基铁电薄膜的研制
批准号：
13555170
负责人：
FUNAKUBO Hiroshi
金额：
$5.82万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2001 至 2002
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-13555170/
关键词：
ferroelectricenvironmental friendlyBi_4Ti_3O_<12>- basedMOCVDBi_4Ti_O_<12>

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The purpose of the present research is the development of lead-free ferroelectric thin films. The obtained results are summarized as follows :1. By the substitution of the lanthanide elements of the Bi site in psudoperovskite of Bi_4Ti_3O_<12>, the ferroelectric properties of Bi_4Ti_3O_<12> was dramatically improved.2. Especially Nd doped one showed large remanent polarization above 35・C/cm^2, which was compatible to that of Pb(Zr_<0.5>Ti_<0.5>)O_3 films.3. Good ferroelectricity was observed for the La doped films even at 500oC, which is useful for the device applications
期刊论文(86)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Takayuki Watanabe: "Preparation and Characterization of a-and B-Axis-Oriented Epitaxially Grown Bi_4Ti_3O_<12>-Based Thin Films on Rutile-Type Oxides"Materials Research Society Proceedings. 688. 155-160 (2002)
Takayuki Watanabe：“金红石型氧化物上a轴和B轴取向外延生长的Bi_4Ti_3O_<12>基薄膜的制备和表征”材料研究学会论文集。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Takashi Kojima: "Ferroelectric Properties of Lanthanide-Substituted Bi_4Ti_3O_<12> Epitaxial Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"Journal of Applied Physics. 93・4. 1707-1712 (2003)
小岛隆：“金属有机化学气相沉积生长的镧系元素取代的Bi_4Ti_3O_<12>外延薄膜的铁电性能”应用物理学杂志93・4（2003）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Watanabe, et al.: "Orientation of Bi_4Ti_3O_<12> based Ferroelectric Thin Film Prepared on Various Kinds of Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"J. Crystal Growth. 235. 389-393 (2002)
T.Watanabe等：“通过金属有机化学气相沉积在各种基底上制备Bi_4Ti_3O_12基铁电薄膜的取向”J。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Hiroshi Uchida: "Fabrication of V-Substituted (Bi,M)_4Ti_3O_<12>[M=Lanthanoids] Thin Films by Chemical Solution Deposition Method"Materials Research Society Proceedings. 688. C2.3.1.-C2.3.6. (2002)
Hiroshi Uchida：“通过化学溶液沉积法制备V-取代的(Bi,M)_4Ti_3O_<12>[M=镧系元素]薄膜”材料研究会论文集。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 22 条
    Investigation of ferroelectric character in Wurtzite ferroelectrics using epitaxial films
    • 批准号：
      18H01701
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Discovery of large electro caloric effect using HfO2-based ferroelectric ultra thin films
    • 批准号：
      16K14380
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Establishment of piezoelectric films with large piezoelectric response using reversible clamp effect from the substrates
    • 批准号：
      15H04121
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Improvement of Thermoelectric Properties in Mg2Si by Strain State Control
    • 批准号：
      26630304
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金