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Effects of strain and temperature on dielectric properties of "size effect free" dielectrics

Effects of strain and temperature on dielectric properties of "size effect free" dielectrics
应变和温度对“无尺寸效应”电介质介电性能的影响
批准号：
19360294
负责人：
FUNAKUBO Hiroshi
金额：
$13.48万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360294/
关键词：
サイズ効果誘電体薄膜残留歪み温度依存性

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サイズ効果フリー特性を有するSrBi_4Ti_4O_<15>について、誘電特性に及ぼす残留歪と温度の影響を調べた。結晶方位の異なる膜を作製して評価したところ、誘電率の温度依存性には結晶方位依存性が存在し、(001)配向が最も小さな温度依存性を示すことが明らかになった。一方基板からの熱歪の異なる基板上に作製したc軸1軸配向膜でも、比誘電率の温度依存性は小さいことが明らかになった。
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会议论文
Fabrication of conductive oxide polycrystalline BaPbO_3 films by chemical solutio n deposition and their electrical resistivity
化学溶液沉积法制备导电氧化物多晶BaPbO_3薄膜及其电阻率
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Journal of Electroceramics 22
影响因子： --
作者： [鈴木拓哉, 黒田大介, 白木原香織, 御手洗容子, 小野嘉則, 香河英史, 後藤大亮, 永沼博]
通讯作者： 永沼博
Si基板上における(001)高配向性(Ca, Sr)Bi_4Ti_4O_<15>薄膜の作製
Si衬底上(001)高取向(Ca,Sr)Bi_4Ti_4O_<15>薄膜的制备
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [水谷佑樹, 内田寛, 舟窪浩, 幸田清一郎]
通讯作者： 幸田清一郎
Effect of the Annealing Temperature on Dielectric Properties of Bi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7 Films Prepared by MOCVD
退火温度对MOCVD制备Bi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7薄膜介电性能的影响
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Key Eng. Mater. (掲載決定)
影响因子： --
作者： [Hiroshi Funakubo, Shingo Okaura, Muneyau Suzuki, Hiroshi Uchida and Seiichiro Koda]
通讯作者： Hiroshi Uchida and Seiichiro Koda
Film thickness dependence of the dielectric thin films in c-axis oriented bismuthlayer perovskite materials
c轴取向铋层钙钛矿材料中介电薄膜的膜厚依赖性
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Funakubo]
通讯作者： H. Funakubo
共 10 条
    Investigation of ferroelectric character in Wurtzite ferroelectrics using epitaxial films
    • 批准号：
      18H01701
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.15万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Discovery of large electro caloric effect using HfO2-based ferroelectric ultra thin films
    • 批准号：
      16K14380
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Establishment of piezoelectric films with large piezoelectric response using reversible clamp effect from the substrates
    • 批准号：
      15H04121
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Improvement of Thermoelectric Properties in Mg2Si by Strain State Control
    • 批准号：
      26630304
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金