Effects of strain and temperature on dielectric properties of "size effect free" dielectrics

应变和温度对“无尺寸效应”电介质介电性能的影响

• 批准号: 19360294
• 负责人: FUNAKUBO Hiroshi
• 金额: $ 13.48万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360294/
• 关键词: サイズ効果; 誘電体薄膜; 残留歪み; 温度依存性

サイズ効果フリー特性を有するSrBi_4Ti_4O_<15>について、誘電特性に及ぼす残留歪と温度の影響を調べた。結晶方位の異なる膜を作製して評価したところ、誘電率の温度依存性には結晶方位依存性が存在し、(001)配向が最も小さな温度依存性を示すことが明らかになった。一方基板からの熱歪の異なる基板上に作製したc軸1軸配向膜でも、比誘電率の温度依存性は小さいことが明らかになった。

サ イ ズ unseen fruit フ リ ー features を have す る SrBi_4Ti_4O_ < 15 > に つ い て, electrical characteristics に and lure ぼ す residual crooked の と temperature influence を べ た. The crystal orientation の different な る membrane を cropping し て review 価 し た と こ ろ, induced electric rate の temperature dependency に は crystal orientation dependence が し, (001) match to the most も が small さ な temperature dependency を shown す こ と が Ming ら か に な っ た. A substrate か ら の hot slanting の different な る substrate に cropping し た c axis 1 axis alignment film で も, smaller than induced electric rate の temperature dependence は さ い こ と が Ming ら か に な っ た.

项目成果

Fabrication of conductive oxide polycrystalline BaPbO_3 films by chemical solutio n deposition and their electrical resistivity

化学溶液沉积法制备导电氧化物多晶BaPbO_3薄膜及其电阻率

• 发表时间: 2009
• 期刊: Journal of Electroceramics 22
• 作者: 鈴木拓哉;黒田大介;白木原香織;御手洗容子;小野嘉則;香河英史;後藤大亮;永沼博
• 通讯作者: 永沼博

Si基板上における(001)高配向性(Ca, Sr)Bi_4Ti_4O_<15>薄膜の作製

Si衬底上(001)高取向(Ca,Sr)Bi_4Ti_4O_<15>薄膜的制备

• 发表时间: 2009
• 作者: 水谷佑樹;内田寛;舟窪浩;幸田清一郎
• 通讯作者: 幸田清一郎

Effect of the Annealing Temperature on Dielectric Properties of Bi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7 Films Prepared by MOCVD

退火温度对MOCVD制备Bi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7薄膜介电性能的影响

• 发表时间: 2008
• 期刊: Key Eng. Mater. (掲載決定)
• 作者: Hiroshi Funakubo;Shingo Okaura;Muneyau Suzuki;Hiroshi Uchida and Seiichiro Koda
• 通讯作者: Hiroshi Uchida and Seiichiro Koda

Film thickness dependence of the dielectric thin films in c-axis oriented bismuthlayer perovskite materials

c轴取向铋层钙钛矿材料中介电薄膜的膜厚依赖性

• 发表时间: 2007
• 作者: H. Funakubo

Cubic-on-cubic growth of a MgO(001) thin film prepared on Si(001) substrate at low ambient pressure by the sputtering method

• DOI: 10.1209/0295-5075/81/46001
• 发表时间: 2008-01-01
• 期刊: EPL
• 影响因子: 1.8
• 作者: Kaneko, S.;Funakubo, H.;Akiyama, K.
• 通讯作者: Akiyama, K.