Growth of High quality Lead Zirconium Titanate Single-crystalline Films and Their Basic Property

高品质钛酸铅锆单晶薄膜的生长及其基本性能

• 批准号: 21360316
• 负责人: FUNAKUBO Hiroshi
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360316/
• 关键词: 単結晶; チタン酸ジルコン酸鉛; 基礎特性; 単結晶膜

Fundamental property of Pb(Zr, Ti) O_3 was investigated using high-quality films grown by MOCVD. Orientation dependency and the contribution of non-180°domain on the electrical and electro-mechanical properties were experimentally observed for the first time.

利用MOCVD生长的高质量薄膜研究了Pb(Zr, Ti) O_3的基本性质。首次通过实验观察到取向依赖性和非180°畴对材料电学和机电性能的影响。

项目成果

Electric-Field-Induced Transverse Displacement in Pt/Pb(Zr, Ti)O_3 Film/Pt/Si Structure

Pt/Pb(Zr, Ti)O_3 薄膜/Pt/Si 结构中电场引起的横向位移

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. 48
• 作者: Takashi Yamamoto;Mitsutaka Yamamoto;Ken Nishida;Hiroshi Funakubo;Takashi Iijima;Toru Aiso;Yasuko Ichikawa
• 通讯作者: Yasuko Ichikawa

CaF_2基板上の作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O_3膜の結晶構造および強誘電特性のZr/(Zr+Ti)比依存性

CaF_2衬底上外延Pb(Zr,Ti)O_3薄膜晶体结构和铁电性能的Zr/(Zr+Ti)比依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: 江原祥隆;安井伸太郎;森岡仁;山田智明;舟窪浩
• 通讯作者: 舟窪浩

分極軸配向エピタキシャルPb(Zr,Ti)O_3膜の強誘電特性

偏振轴取向外延Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的铁电性能

• 发表时间: 2012
• 作者: 吉田朋子;武藤俊介;レニユリアティ;吉田寿雄;江原祥隆・安井伸太郎・及川貴弘・山田智明・飯島高志・坂田修身・舟窪浩
• 通讯作者: 江原祥隆・安井伸太郎・及川貴弘・山田智明・飯島高志・坂田修身・舟窪浩

MPB近傍PZT圧膜におけるインコメンシュレート相の発見

MPB 附近 PZT 压力膜中发现绝缘相

• 发表时间: 2012
• 作者: S.Muto;T.Yoshida;K.Tatsumi;青柳健大・木口賢紀・今野豊彦・和田亜由美・江原祥隆・舟窪浩
• 通讯作者: 青柳健大・木口賢紀・今野豊彦・和田亜由美・江原祥隆・舟窪浩

Single crystal-like selection rules for unipolar-axis oriented tetragonal Pb(Zr, Ti) O_3 thick epitaxial films

单极轴取向四方Pb(Zr,Ti)O_3厚外延膜的类单晶选择规则

• 发表时间: 2010
• 期刊: Appl. Phys. Lett.
• 作者: Mitsumasa Nakajima;Takashi Fujisawa;Yoshitaka Ehara;Tomoaki Yamada;Hiroshi Funakubo;Hiroshi Naganuma;Soichiro Okamura;Ken Nishida;Takashi Yamamoto;and Minoru Osada
• 通讯作者: and Minoru Osada