Establishment of piezoelectric films with large piezoelectric response using reversible clamp effect from the substrates

利用基底的可逆钳位效应建立具有大压电响应的压电薄膜

• 批准号: 15H04121
• 负责人: FUNAKUBO Hiroshi
• 金额: $ 10.57万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H04121/
• 关键词: 誘電体膜; 圧電MEMS; 誘電体; 非鉛圧電体; クランプ効果; ドメイン構造

项目成果

Growth of epitaxial tetragonal (Bi,K)TiO3 films and their ferroelectric and piezoelectric properties

外延四方 (Bi,K)TiO3 薄膜的生长及其铁电和压电性能

• DOI: 10.7567/jjap.55.10ta13
• 发表时间: 2016
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys
• 作者: Yuichi Nemoto;Daichi Ichinose;Takao Shimizu;Hiroshi Uchida;Wakiko Yamaoka;Yusuke Sato and Hiroshi Funakubo
• 通讯作者: Yusuke Sato and Hiroshi Funakubo

Polarization switching behavior of one-axis-oriented lead zirconate titanate films fabricated on metal oxide nanosheet layer

金属氧化物纳米片层上单轴取向锆钛酸铅薄膜的偏振切换行为

• DOI: 10.7567/jjap.56.10pf10
• 发表时间: 2017
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Uchida Hiroshi;Ichinose Daichi;Shiraishi Takahisa;Shima Hiromi;Kiguchi Takanori;Akama Akihiko;Nishida Ken;Konno Toyohiko J.;Funakubo Hiroshi
• 通讯作者: Funakubo Hiroshi

PLD法による正方晶(Bi, K)TiO3エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性に与える影響

PLD法制备四方(Bi,K)TiO3外延薄膜及后退火对铁电性的影响

• 发表时间: 2017
• 作者: 根本祐一;佐藤智也;一ノ瀬大地;清水荘雄;内田寛;木口賢紀;佐藤祐介;山岡和希子;舟窪浩
• 通讯作者: 舟窪浩

Negligible substrate clamping effect on piezoelectric response in (111)-epitaxial tetragonal Pb(Zr, Ti)O3 films

(111)-外延四方 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜中压电响应的衬底夹紧效应可忽略不计

• DOI: 10.1063/1.4927810
• 发表时间: 2015
• 期刊: J. Appl. Phys.
• 作者: Tomoaki Yamada;Jun Yasumoto;Daisuke Ito;Osami Sakata;Yasuhiko Imai;Takanori Kiguchi;Takahisa Shiraishi;Takao Shimizu;Hiroshi Funakubo;Masahito Yoshino;and Takanori Nagasaki
• 通讯作者: and Takanori Nagasaki

結晶構造の異なるPb(Zr, Ti)O3膜のドメイン構造に及ぼす電界印加の影響

电场施加对不同晶体结构Pb(Zr,Ti)O3薄膜畴结构的影响

• 发表时间: 2017
• 作者: 佐藤智也;一ノ瀬大地;根本祐一;清水荘雄;内田寛;舟窪浩
• 通讯作者: 舟窪浩