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Investigation of ferroelectric character in Wurtzite ferroelectrics using epitaxial films

Investigation of ferroelectric character in Wurtzite ferroelectrics using epitaxial films
使用外延膜研究纤锌矿铁电体的铁电特性
批准号：
18H01701
负责人：
FUNAKUBO Hiroshi
金额：
$11.15万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01701/
关键词：
酸化ハフニウム強誘電性特性支配因子HfO2

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Effects of heat treatment and in-situ high temperature XRD study on the formation of ferroelectric epitaxial Y doped HfO2 film
热处理及原位高温XRD对铁电外延Y掺杂HfO2薄膜形成的影响研究
DOI： 10.7567/1347-4065/aafed1
发表时间： 2019
期刊： Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [Takanori Mimura, Takao Shimizu, Takanori Kiguchi, Akihiro Akama, Toyohiko J. Konno, Yoshio Katsuya, Osami Sakata, and Hiroshi Funakubo]
通讯作者： and Hiroshi Funakubo
Fabrication of ferroelectric Fe doped HfO2 epitaxial thin films by ion-beam sputtering method and their characterization
DOI： 10.7567/jjap.57.11uf02
发表时间： 2018-08
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [T. Shiraishi;Sujin Choi;T. Kiguchi;Takao Shimizu;H. Uchida;H. Funakubo;T. Konno]
通讯作者： T. Shiraishi;Sujin Choi;T. Kiguchi;Takao Shimizu;H. Uchida;H. Funakubo;T. Konno
Robust ferroelectricity in thick HfO2-based film
HfO2 基厚膜具有鲁棒的铁电性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Takao Shimizu, Takanori Mimura, Hiroshi Funakubo]
通讯作者： Hiroshi Funakubo
Thickness- and orientationdependence of Curie temperature of ferroelectric epitaxial HfO2 based films
铁电外延 HfO2 基薄膜居里温度的厚度和取向依赖性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Mimura, T. Shimizu, Y. Katsuya, O. Sakata, H. Funakubo]
通讯作者： H. Funakubo
共 42 条
    Discovery of large electro caloric effect using HfO2-based ferroelectric ultra thin films
    • 批准号：
      16K14380
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.33万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Establishment of piezoelectric films with large piezoelectric response using reversible clamp effect from the substrates
    • 批准号：
      15H04121
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Improvement of Thermoelectric Properties in Mg2Si by Strain State Control
    • 批准号：
      26630304
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Development of Novel Lead and Alkaline elements-free Piezoelectric Materials Using Tetragonal Bismuth Perovskite Oxide
    • 批准号：
      24360271
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.07万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      FUNAKUBO Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    海外基金